• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Интеграция двумерных и трехмерных оптических волноводов на чипе

ФИО студента: Тарасов Алексей Сергеевич

Руководитель: Гольцман Григорий Наумович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Материалы. Приборы. Нанотехнологии (Магистратура)

Год защиты: 2019

В настоящей работе рассматривается возможность интегрирования двумерных планарных волноводов с трехмерным на оптическом чипе. В качестве волноводного материала для планарных элементов используется нитрид кремния (Si3N4), с помощью которого можно создавать фотонные устройства с низкими потерями в инфракрасном диапазоне. Рабочая длина волны составляет 1550 нм. Выбор нитрида кремния также обусловлен тем, что планарные оптические элементы из него могут быть произведены с помощью электронно-лучевой литографии в лабораторных условиях. Таким образом, нитрид кремния может быть использован для изготовления оптических чипов, в которых он используется как волноводный сердечник. Электронно-лучевая литография позволяет производить только двумерные оптические чипы. На практике для подвода и вывода излучения из оптического чипа, а также для передачи излучения между отдельными функциональными элементами чипа требуется изготовление оптических мостов с использованием различных технологий изготовления. В настоящей работе был предложен и исследован новый подход к созданию 3-х мерных нано мостов (волноводов) с заданными пространственными и оптическими характеристиками с использованием двухфотонной литографии - Direct Laser Writing (DLW). Данный метод позволяет производить 3-х мерный волновод из полимерного материала поверх планарных элементов

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ