• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Создание сверхпроводниковых однофотонных детекторов большой площади с использованием фотолитографии

ФИО студента: Романов Никита Романович

Руководитель: Гольцман Григорий Наумович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Материалы. Приборы. Нанотехнологии (Магистратура)

Год защиты: 2021

Сверхпроводниковый детектор одиночных фотонов – это прорывная технология, позволяющая регистрировать излучение инфракрасного диапазона в широком спектре. Устройство обладает высочайшей квантовой эффективностью, скоростью счета в десятки МГц и ничтожным уровнем ложных срабатываний. SSPD представляет собой ультратонкую полоску сверхпроводящего материала шириной порядка 100-150 нм в форме меандра. Сейчас имеет место тенденция к увеличению чувствительной области и ширины детекторов до микронных значений. Ведется активная научная деятельность в области создания однофотонной камеры. Один из технологических этапов создания SSPD – формирование топологии чувствительной области с использованием электронной литографии. Типичная стоимость литографов составляет миллионы долларов, что сильно увеличивает себестоимость устройств, а также ограничивает рынок коммерческих SSPD. Магистерская диссертация посвящена созданию однофотонных детекторов с использованием фотолитографии взамен электронной. Определен технологический маршрут, подобраны оптимальные параметры сверхпроводниковых пленок, фоторезиста, доз экспонирования. Получены образцы с различными ширинами в диапазоне от 950 до 2500 нм. Проведены экспериментальные исследования критического тока и квантовой эффективности. Доказана работоспособность и перспективность SSPD большой площади, произведенных с использованием фотолитографии. На основании данных, полученных в ходе работы, определены параметры и топология детекторов, изготовлен фотошаблон, содержащий несколько различных конфигураций. Дальнейшие исследования SSPD большой площади будут продолжены в аспирантуре.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ