Драгунова Анна Сергеевна

Младший научный сотрудник:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук / Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники

Начала работать в НИУ ВШЭ в 2020 году.

Полномочия / обязанности

Пуско-наладка оборудования, помощь в проведении экспериментов и обработке полученных данных

Образование

2019
Магистратура: Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, специальность «Электроника и автоматика физических установок», квалификация «Магистр»
2017
Бакалавриат: Национальный исследовательский университет «МЭИ», специальность «Электроника и автоматика физических установок», квалификация «Бакалавр»

Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки

2017: • Диплом о профессиональной переподготовке № 772405532171 по программе «Переводчик в сфере профессиональных коммуникаций» по направлению «Лингвистика», регистрационный номер 4169, город Москва, дата выдачи 28.08.2017

2020: • «Представление информации и данных. Создание презентаций», объем 24 часа, удостоверение №166584

2021: • Сертификат № 6UTUV6V2M67V от 06.11.2021 от университета University of Michigan, предлагаемый на Coursera по курсу «Programming for Everybody (getting started with Python)»

• Сертификат №VKD3KWWSR3V7 от 16.12.2021 от университета University of Michigan, предлагаемый на Coursera по курсу «Python data structures»

Профессиональные интересы

микролазеры

Группа высокого профессионального потенциала (кадровый резерв НИУ ВШЭ)
Категория "Новые исследователи" (2023)

Публикации³⁵

Статья Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P., A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, Samsonenko Y. B., Soshnikov I. P., Khrebtov A. I., Cirlin G. E. Features of MBE growth of AlGaAs nanowires with InAs quantum dots on the silicon surface // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.1. P. 153-157. doi
Статья Balakirev S., Kirichenko D., Chernenko N., Shandyba N., Sergey Komarov, Dragunova A., Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Solodovnik M. Influence of the Arsenic Pressure during Rapid Overgrowth of InAs/GaAs Quantum Dots on Their Photoluminescence Properties // Crystals. 2023. Vol. 13. No. 9. Article 1358. doi
Статья S. D. Komarov, Gridchin V. O., Lendyashova V. V., Kotlyar K. P., Reznik R. R., Dvoretckaia L. V., A. S. Dragunova, I. S. Makhov1, A. M. Nadtochiy, N. V. Kryzhanovskaya, Cirlin G. E., A. E. Zhukov. Optical properties of single InGaN nanowires with core-shell structure // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.2. P. 114-120. doi
Статья Makhov I., Ivanov K., Moiseev E., Fominykh N., Dragunova A., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Temperature evolution of two-state lasing in microdisk lasers with InAs/InGaAs quantum dots // Nanomaterials. 2023. Vol. 13. No. 5. Article 877. doi
Статья A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, E. I. Moiseev, A.M. Nadtochiy, N.A. Fominykh, K.A. Ivanov, M.V. Maximov, Vorobyev A., Mozharov A., Kalyuzhnyy N. A., Mintairov S., Gordeev N., Guseva Y., Kulagina M., A.E. Zhukov. Thermal characteristics of III-V microlasers bonded onto silicon board // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.2. P. 108-113. doi
Статья Makhov I., Ivanov K., Moiseev E., Dragunova A., Fominykh N., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Two-state lasing in a quantum dot racetrack microlaser // Optics Letters. 2023. Vol. 48. No. 13. P. 3515-3518. doi
Статья Makhov I., Ivanov K., Moiseev E., Dragunova A., Fominykh N., Shernyakov Y., Mikhail Maximov, Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Two-state lasing in microdisk laser diodes with quantum dot active region // Photonics. 2023. Vol. 10. No. 3. Article 235. doi
Статья Балакирев С. В., Кириченко Д. В., Комаров С. Д., Драгунова А. С., Черненко Н. Е., Шандыба Н. А., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Солодовник М. С. Влияние давления мышьяка при заращивании квантовых точек InAs тонким низкотемпературным слоем GaAs на их оптические свойства // Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 4. С. 276-281. doi
Статья Dragunova A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Zubov F., Nadtochiy A., Zhukov A. Analysis of characteristics of InGaAs/GaAs microdisk lasers bonded onto silicon board // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 163-166. doi
Статья Zhukov A., Moiseev E., Nadtochiy A., Makhov I., Ivanov K., Dragunova A., Fominykh N., Shernyakov Y., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Mikushev S., Zubov F., Maximov M., Kryzhanovskaya N. Dynamic characteristics and noise modelling of directly modulated quantum well-dots microdisk lasers on silicon // Laser Physics Letters. 2022. Vol. 19. No. 2. Article 025801. doi
Статья F I Zubov, E I Moiseev, A M Nadtochiy, N A Fominykh, K A Ivanov, I S Makhov, A S Dragunova, M V Maximov, N A Kryzhanovskaya, A E Zhukov. Improvement of thermal resistance in InGaAs/GaAs/AlGaAs microdisk lasers bonded onto silicon // Semiconductor Science and Technology. 2022. Vol. 37. No. 7. Article 075010. doi
Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Dragunova A., Maximov M. V., Zhukov A. Integrated optical transceiver based on III-V microdisk laser and photodiode // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 371-375. doi
Статья Khrebtov A., Kulagina A., Dragunova A., Reznik R. R., Cirlin G. E., Danilov V. Light quenching of photoluminescence in hybrid films of InP/InAsP/InP nanowires and CdSe/ZnS colloidal quantum dots // Optical Materials. 2022. Vol. 127. Article 112277. doi
Статья Dvoretckaia L. N., Gridchin V. O., Mozharov A. M., Maksimova A. A., Dragunova A., Melnichenko I., Mitin D. M., Vinogradov A. V., Mukhin I. S., Cirlin G. E. Light-Emitting Diodes Based on InGaN/GaN Nanowires on Microsphere-Lithography-Patterned Si Substrates // Nanomaterials. 2022. Vol. 12. No. 12. Article 1993. doi
Статья Reznik R. R., Ilkiv I. V., Kotlyar K. P., Gridchin V. O., Bondarenko D. N., Lendyashova V. V., Ubyivovk E. V., Anna S. Dragunova, Natalia V. Kryzhanovskaya, Cirlin G. E. Molecular-Beam Epitaxy Growth and Properties of AlGaAs Nanowires with InGaAs Nanostructures // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 2022. Vol. 16. No. 7. Article 2200056. doi
Статья Kryzhanovskaya N., Zubov Fedor I., Moiseev E., Dragunova A., Ivanov K., Maximov Mikhail V., Zhukov A. On-chip light detection using integrated microdisk laser and photodetector bonded onto Si board // Laser Physics Letters. 2022. Vol. 19. No. 1. Article 016201. doi
Глава книги A. E. Zhukov, E. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, N. A. Fominykh, K. A. Ivanov, I. S. Makhov, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, M. V. Maximov, Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Optical loss and noise modelling in microdisk lasers with InGaAs quantum well-dots, in: 2022 International Conference Laser Optics (ICLO). IEEE, 2022. doi doi
Глава книги Kryzhanovskaya N., Dragunova A., Fominykh N., M.V. Maximov, Moiseev E., F.I. Zubov, Ivanov K., Makhov I., Mozharov A. M., Kaluzhnyy N., Mintairov S., Guseva Y. A., Gordeev N., Zhukov A. Performance of InGaAs/GaAs Microdisk Lasers with Improved Thermal Resistance, in: 2022 International Conference Laser Optics (ICLO). IEEE, 2022. doi P. 1-1. doi
Статья Balakirev S., Chernenko N., Kryzhanovskaya N., Shandyba N., Kirichenko D., Dragunova A., Komarov S., Zhukov A., Solodovnik M. Photoluminescence properties of InAs quantum dots overgrown by a low-temperature GaAs layer under different arsenic pressures // Electronics. 2022. Vol. 11. No. 23. Article 4062. doi
Глава книги I. A. Melnichenko, A. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, Viazmitinov D. V., Semenova E., Berdnikov Y. Photoluminescence study of InP and In(As, P) inclusions into Si (100) substrate, in: 23rd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021) 22/11/2021 - 26/11/2021 Online Vol. 2227. IOP Publishing, 2022. doi
Статья Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P., Ubyivovk E. V., A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, Cirlin G. E. Physical properties of InGaAs quantum dots in AlGaAs nanowires synthesized on silicon at different growth temperatures // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 31-35. doi
Статья Gridchin V. O., Reznik R. R., Kotlyar K. P., Shugabaev T. M., A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, Cirlin G. E. Plasma assisted molecular beam epitaxy growth of InGaN nanostructures on Si substrates // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 311-314. doi
Статья Gridchin V. O., Dvoretckaia L. N., Kotlyar K. P., Reznik R. R., Parveneva A. V., Anna S. Dragunova, Natalia V. Kryzhanovskaya, Dubrovskii V. G., Cirlin G. E. Selective Area Epitaxy of GaN Nanowires on Si Substrates Using Microsphere Lithography: Experiment and Theory // Nanomaterials. 2022. Vol. 12. No. 14. Article 2341. doi
Статья Khrebtov A. I., Kulagina A. S., Danilov V. V., A. S. Dragunova, Kotlyar K. P., Reznik R. R., Cirlin G. E. Synthesis and optical properties of heterogeneous film structure based on InP/InAsP/InP nanowires // Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal). 2022. Vol. 89. No. 5. P. 298-301. doi
Глава книги Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Maximov M., Dragunova A., Zhukov A. Monolithic and hybrid integration of InAs/GaAs quantum dot microdisk lasers on silicon, in: Integrated Optics: Design, Devices, Systems and Applications VI Vol. 11775. Washington : SPIE, 2021. doi Ch. 117750P. P. 75-79. doi
Статья Gridchin V. O., Kotlyar K. P., Reznik R. R., Dragunova A., Kryzhanovskaya N., Lendyashova V. V., Kirilenko D. A., Soshnikov I. P., Shevchuk D. S., Cirlin G. G. Multi-colour light emission from InGaN nanowires monolithically grown on Si substrate by MBE // Nanotechnology. 2021. Vol. 32. No. 33. Article 335604. doi
Статья Крыжановская Н. В., Мельниченко И. А., Букатин А., Корнев А., Филатов Н. А., Щербак С. А., Липовский А. А., Драгунова А. С., Кулагина М. М., Лихачев А. И., Фетисова М. В., Редуто И. В., Максимов М. В., Жуков А. Е. Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 19. С. 30-33. doi
Статья Зубов Ф. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Блохин С. А., Жуков А. Е. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 20. С. 3-6. doi
Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Драгунова А. С., Надточий А. М., Максимов М. В., Гордеев Н. Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 12. С. 1223-1228. doi
Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Максимов М. В., Драгунова А. С. Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 2. С. 195-200. doi
Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Крыжановская Н. В., Кулагина М., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Зубов Ф. И., Максимов М. В. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 13. С. 28-31. doi
Статья Zhukov A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Dragunova A., Maximov M., Berdnikov Y., Zubov F. I., Mintairov S. A., Kadinskaya S. A., Kulagina M. M., Kalyuzhnyy N. A. Impact of Self-heating and Elevated Temperature on Performance of Quantum Dot Microdisk Lasers // IEEE Journal of Quantum Electronics. 2020. Vol. 56. No. 5. P. 1-8. doi
Статья Zhukov A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Dragunova A., Tang M., Chen S., Huiyun L., Kulagina M. M., Kadinskaya S. A., Zubov F. I., Mozharov A. M., Максимов М. В. InAs/GaAs quantum dot microlasers formed on silicon using monolithic and hybrid integration methods // Materials. 2020. Vol. 13. No. 10. Article 2315. doi
Статья Yury Berdnikov, Natalia Kryzhanovskaya, Anna Dragunova. Monolithic integration of InP on Si by molten alloy driven selective area epitaxial growth // Nanoscale. 2020 doi (в печати)
Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Крыжановская Н. В., Кулагина М. М., Можаров А. М., Кадинская С. А., Симчук О. И., Зубов Ф. И., Максимов М. В. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 16. С. 3-6. doi

Гранты

Стипендия Правительства РФ для аспирантов по специальностям или направлениям подготовки, соответсвующим ПРИОРИТЕТНЫМ направлениям модернизации и технологического развития российской экономики на 2022/2023 уч. год.

Информация^*

Общий стаж: 2 года

Данные выводятся в соответствии с требованиями приказа N 831 от 14 августа 2020 г. Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки

мая

2022

Saint Petersburg OPEN 2022 как образовательная и коммуникационная площадка

Завершилась Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам Saint Petersburg OPEN, проходившая на площадке НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург с 25 по 27 мая. 295 молодых ученых-физиков из тридцати российских городов приняли в ней участие: обсудили с экспертами актуальную научную проблематику, представили результаты исследований, установили научные связи, познакомились с петербургским кампусом Вышки. Научные доклады участников запланированы к публикации в рецензируемом журнале.