Мельниченко Иван Алексеевич
- Стажер-исследователь:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук / Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2021 году.
Полномочия / обязанности
1. Выполнение испытаний, измерений и других видов работ при проведении исследований и разработок.
2. Участие в сборе и обработке материалов в процессе исследований в соответствии с утвержденной программой работы.
3. Наблюдение за исправным состоянием лабораторного оборудования, осуществление его наладки.
4. Подготовка оборудования (приборов, аппаратуры) к проведению экспериментов, осуществление его проверки и простой регулировки согласно разработанным инструкциям и другой документации.
5. Участие в выполнении экспериментов, осуществение необходимых подготовительных и вспомогательных операций, проведение наблюдений, снятие показаний приборов, ведение рабочих журналов.
6. Обеспечение сотрудников подразделения необходимыми для работы оборудованием, материалами, реактивами и др.
7. Обработка, систематизация и оформление в соответствии с методическими документами результатов испытаний, измерений, ведение их учета.
8. Произведение выборки данных из литературных источников, реферативных и информационных изданий, нормативно-технической документации в соответствии с установленным заданием.
9. Выполнение вычислительных работ, связанных с проводимыми исследованиями и экспериментами.
10. Выполнение отдельных служебных поручений своего непосредственного руководителя.
Образование
Бакалавриат: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), специальность «Нанотехнологии и микросистемная техника», квалификация «Бакалавр»
Группа высокого профессионального потенциала (кадровый резерв НИУ ВШЭ)
Категория "Новые исследователи" (2024)
Публикации14
- Статья Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С., Караборчев А. А., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Махов И. С., Жуков А. Е. Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии // Письма в Журнал технической физики. 2024. Т. 50. № 5. С. 3-6. doi
- Статья N.A. Fominykh, F.I. Zubov, K.A. Ivanov, E.I. Moiseev, A.M. Nadtochiy, Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., I.A. Melnichenko, Pirogov V. V., Scherbak S. A., Urmanov B. D., Nahorny A. V., N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov. Microring lasers with a waveguide coupler // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.2. P. 126-132. doi
- Статья I.A. Melnichenko, A.M. Nadtochiy, K.A. Ivanov, I.S. Makhov, Maximov M., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., N.V. Kryzhanovskaya, Zhukov A. Time-resolved photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum well-dots with upconversion method // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.1. P. 22-27. doi
- Статья Konstantin A. Ivanov, Alexey M. Nadtochiy, Natalia V. Kryzhanovskaya, Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Ivan A. Melnichenko, Mikhail V. Maximov, Alexey E. Zhukov. Time-resolved temperature-dependent photoluminescence spectroscopy of InGaAs/GaAs quantum well-dots // Journal of Luminescence. 2023. Vol. 255. Article 119620. doi
- Статья Мельниченко И. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А., Надточий А. М., Махов И. С., Козодаев М. Г., Хакимов Р. Р., Маркеев А. М., Воробьев А. А., Можаров А. М., Гусева Ю. А., Лихачев А. И., Колодезный Е. С., Жуков А. Е. Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства // Оптика и спектроскопия. 2023. Т. 131. № 8. С. 1112-1117. doi
- Статья Карачинский Л. Я., Егоров А. Ю., Новиков И. И., Бимберг Д., Блохин А. А., Бобров М. А., Малеев Н., Андрюшкин В. В., Бугров В., Гладышев А. Г., Мельниченко И. А., Воропаев К. О., Жумаева И., Устинов В. М., Ли Х., Рочас С. С., Тиан С., Блохин С. А., Хан С., Бабичев А. В., Сапунов Г. Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки. 2023. Т. 16. № 1.1. С. 456-462. doi (в печати)
- Статья Dvoretckaia L. N., Gridchin V. O., Mozharov A. M., Maksimova A. A., Dragunova A., Melnichenko I., Mitin D. M., Vinogradov A. V., Mukhin I. S., Cirlin G. E. Light-Emitting Diodes Based on InGaN/GaN Nanowires on Microsphere-Lithography-Patterned Si Substrates // Nanomaterials. 2022. Vol. 12. No. 12. Article 1993. doi
- Статья Melnichenko I., Kryzhanovskaya N., Berdnikov Y., Moiseev E., Makhov I. Optical studies of InP nanostructures monolithically integrated in Si (100) // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 260-264. doi
- Глава книги I. A. Melnichenko, A. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, Viazmitinov D. V., Semenova E., Berdnikov Y. Photoluminescence study of InP and In(As, P) inclusions into Si (100) substrate, in: 23rd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021) 22/11/2021 - 26/11/2021 Online Vol. 2227. IOP Publishing, 2022. doi
- Статья Pidgayko D., Ivan Melnichenko, Shkoldin V., Logunov L., Kryzhanovskaya N., Samusev A., Bogdanov A. Radiation outcoupling from microdisk lasers via dielectric resonant nanoantennas // Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications. 2022. Vol. 52. Article 101081. doi
- Статья Melnichenko I., Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Makhov I., Nadtochiy A., Zhukov A. Submicron-Size Emitters of the 1.2–1.55 um Spectral Range Based on InP/InAsP/InP Nanostructures Integrated into Si Substrate // Nanomaterials. 2022. Vol. 12. No. 23. Article 4213. doi
- Статья Надточий А. М., Мельниченко И. А., Иванов К. А., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Максимов М. В., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е. Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 10. С. 993-996. doi
- Глава книги Scherbak S. A., Moiseev E., I A Melnichenko, Guseva J. A., M V Maximov, Lihachev A. I., Kryzhanovskaya N., Lipovski A. A., Zhukov A. Influence of dielectric overlayers on self-heating of a microdisk laser, in: Journal of Physics: Conference Series, Vol. 2086 Vol. 2086: 8th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2021": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (SPbOPEN 2021) 25-28 May 2021, Saint Petersburg, Russia. IOP Publishing, 2021. Ch. 012100. doi
- Статья Крыжановская Н. В., Мельниченко И. А., Букатин А., Корнев А., Филатов Н. А., Щербак С. А., Липовский А. А., Драгунова А. С., Кулагина М. М., Лихачев А. И., Фетисова М. В., Редуто И. В., Максимов М. В., Жуков А. Е. Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 19. С. 30-33. doi
Конференции
- 2022Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам Saint Petersburg OPEN (Санкт-Петербург). Доклад: Optical studies of InP nanostructures monolithically integrated in Si (100)
- Научная конференция с международным участием «Наука настоящего и будущего» (Санкт-Петербург). Доклад: Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых ям-точек с временным разрешением методом ап-конверсии
- Международная конференция ФизикА.СПб (Санкт-Петербург). Доклад: Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых ям-точек с временным разрешением методом ап-конверсии
- 2021научно-практическая конференция с международным участием «Наука настоящего и будущего» (Санкт-Петербург). Доклад: Исследование оптических свойств микродискового лазера со сферической наноантенной Si
- 23-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург). Доклад: Изучение оптических свойств In(As, P) включений в матрице Si
- 2020XXII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург). Доклад: Генерация лазерного излучения микродисковых резонаторов в растворах NaCl и C6H12O6
Опыт работы
06.2020 – 12.2020: лаборант на кафедре нанофотоники в Санкт-Петербургском академическом университете имени Ж.И.Алеферова, Санкт-Петербург, Россия.
04.2020 - настоящее время: лаборант в Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники в Национальном исследовательском университете «Высшая школа экономики», Санкт-Петербург, Россия.
Информация*
Лазерная визуализация музыки, поиски кота в виртуальной реальности и плакаты в подарок: чем запомнился VK Fest для Питерской Вышки
В выходные с 1 по 2 июля в парке 300-летия состоялся VK Fest, в котором приняла участие и Питерская Вышка. Более 600 гостей посетили университетский шатер, который расположился в зоне «Технологии». Чем гостям запомнились опыты физиков, какие VR-квесты можно было пройти и что за плакаты создавались вместе с дизайнерами — в материале.
Физики Питерской Вышки исследуют интегрированные с кремнием наноструктуры. Почему это полезно
Сотрудники Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники Питерской Вышки получили грантовую поддержку Российского научного фонда. Тема будущего исследования — источники излучения в диапазоне 1,3–1,55 мкм на основе III-V наноструктур, интегрированных в кремний.