Мельниченко Иван Алексеевич
- Лаборант:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук / Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2021 году.
Полномочия / обязанности
1. Выполнение испытаний, измерений и других видов работ при проведении исследований и разработок.
2. Участие в сборе и обработке материалов в процессе исследований в соответствии с утвержденной программой работы.
3. Наблюдение за исправным состоянием лабораторного оборудования, осуществление его наладки.
4. Подготовка оборудования (приборов, аппаратуры) к проведению экспериментов, осуществление его проверки и простой регулировки согласно разработанным инструкциям и другой документации.
5. Участие в выполнении экспериментов, осуществение необходимых подготовительных и вспомогательных операций, проведение наблюдений, снятие показаний приборов, ведение рабочих журналов.
6. Обеспечение сотрудников подразделения необходимыми для работы оборудованием, материалами, реактивами и др.
7. Обработка, систематизация и оформление в соответствии с методическими документами результатов испытаний, измерений, ведение их учета.
8. Произведение выборки данных из литературных источников, реферативных и информационных изданий, нормативно-технической документации в соответствии с установленным заданием.
9. Выполнение вычислительных работ, связанных с проводимыми исследованиями и экспериментами.
10. Выполнение отдельных служебных поручений своего непосредственного руководителя.
Образование
Бакалавриат: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), специальность «Нанотехнологии и микросистемная техника», квалификация «Бакалавр»
Публикации9
- Статья Ivanov K., Nadtochiy A., Kryzhanovskaya N., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Мельниченко И. А., Maksimov M. V., Zhukov A. Time-resolved temperature-dependent photoluminescence spectroscopy of InGaAs/GaAs quantum well-dots // Journal of Luminescence. 2023. Vol. 255. Article 119620. doi
- Статья Dvoretckaia L. N., Gridchin V. O., Mozharov A. M., Maksimova A. A., Dragunova A., Melnichenko I., Mitin D. M., Vinogradov A. V., Mukhin I. S., Cirlin G. E. Light-Emitting Diodes Based on InGaN/GaN Nanowires on Microsphere-Lithography-Patterned Si Substrates // Nanomaterials. 2022. Vol. 12. No. 12. Article 1993. doi
- Глава книги Мельниченко И. А., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Makhov I., Berdnikov Y. Optical studies of InP nanostructures monolithically integrated in Si (100), in: ST. PETERSBURG STATE POLYTECHNICAL UNIVERSITY JOURNAL. PHYSICS AND MATHEMATICS. 9th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (SPb OPEN – 2022) / Ed. by A. Zhukov. Issue 3.3. St. Petersburg : Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого", 2022. P. 260-264. doi
- Глава книги I. A. Melnichenko, A. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, Viazmitinov D. V., Semenova E., Berdnikov Y. Photoluminescence study of InP and In(As, P) inclusions into Si (100) substrate, in: 23rd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021) 22/11/2021 - 26/11/2021 Online Vol. 2227. IOP Publishing, 2022. doi
- Статья Pidgayko D., Ivan Melnichenko, Shkoldin V., Logunov L., Kryzhanovskaya N., Samusev A., Bogdanov A. Radiation outcoupling from microdisk lasers via dielectric resonant nanoantennas // Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications. 2022. Vol. 52. Article 101081. doi
- Статья Melnichenko I., Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Makhov I., Nadtochiy A., Zhukov A. Submicron-Size Emitters of the 1.2–1.55 um Spectral Range Based on InP/InAsP/InP Nanostructures Integrated into Si Substrate // Nanomaterials. 2022. Vol. 12. No. 23. Article 4213. doi
- Статья Надточий А. М., Мельниченко И. А., Иванов К. А., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Максимов М. В., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е. Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 10. С. 993-996. doi
- Глава книги Scherbak S. A., Moiseev E., I A Melnichenko, Guseva J. A., M V Maximov, Lihachev A. I., Kryzhanovskaya N., Lipovski A. A., Zhukov A. Influence of dielectric overlayers on self-heating of a microdisk laser, in: Journal of Physics: Conference Series Vol. 2086: 8th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2021": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (SPbOPEN 2021) 25-28 May 2021, Saint Petersburg, Russia. IOP Publishing, 2021. Ch. 012100. doi
- Статья Крыжановская Н. В., Мельниченко И. А., Букатин А., Корнев А., Филатов Н. А., Щербак С. А., Липовский А. А., Драгунова А. С., Кулагина М. М., Лихачев А. И., Фетисова М. В., Редуто И. В., Максимов М. В., Жуков А. Е. Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 19. С. 30-33. doi
Конференции
- 2022Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам Saint Petersburg OPEN (Санкт-Петербург). Доклад: Optical studies of InP nanostructures monolithically integrated in Si (100)
- Научная конференция с международным участием «Наука настоящего и будущего» (Санкт-Петербург). Доклад: Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых ям-точек с временным разрешением методом ап-конверсии
- Международная конференция ФизикА.СПб (Санкт-Петербург). Доклад: Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых ям-точек с временным разрешением методом ап-конверсии
- 2021научно-практическая конференция с международным участием «Наука настоящего и будущего» (Санкт-Петербург). Доклад: Исследование оптических свойств микродискового лазера со сферической наноантенной Si
- 23-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург). Доклад: Изучение оптических свойств In(As, P) включений в матрице Si
- 2020XXII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург). Доклад: Генерация лазерного излучения микродисковых резонаторов в растворах NaCl и C6H12O6
Опыт работы
06.2020 – 12.2020: лаборант на кафедре нанофотоники в Санкт-Петербургском академическом университете имени Ж.И.Алеферова, Санкт-Петербург, Россия.
04.2020 - настоящее время: лаборант в Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники в Национальном исследовательском университете «Высшая школа экономики», Санкт-Петербург, Россия.
Информация*
Физики Питерской Вышки исследуют интегрированные с кремнием наноструктуры. Почему это полезно
Сотрудники Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники Питерской Вышки получили грантовую поддержку Российского научного фонда. Тема будущего исследования — источники излучения в диапазоне 1,3–1,55 мкм на основе III-V наноструктур, интегрированных в кремний.