• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Владение языками
английский
Контакты
Телефон:
61561
Адрес: г. Санкт-Петербург, Кантемировская ул., д. 3, корп. 1, лит. А, каб. 1.5
Адрес: г. Санкт-Петербург, Кантемировская ул., д. 3, корп. 1, лит. А, каб. 1.5
ORCID: 0000-0003-3542-6776
Scopus AuthorID: 57393592900
Google Scholar
Руководитель
Крыжановская Н. В.
Версия для печати

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!
Сервис предназначен только для отправки сообщений об орфографических и пунктуационных ошибках.

Мельниченко Иван Алексеевич

  • Начал работать в НИУ ВШЭ в 2021 году.

Полномочия / обязанности

1. Выполнение испытаний, измерений и других видов работ при проведении исследований и разработок.
2. Участие в сборе и обработке материалов в процессе исследований в соответствии с утвержденной программой работы.
3. Наблюдение за исправным состоянием лабораторного оборудования, осуществление его наладки.
4. Подготовка оборудования (приборов, аппаратуры) к проведению экспериментов, осуществление его проверки и простой регулировки согласно разработанным инструкциям и другой документации.
5. Участие в выполнении экспериментов, осуществение необходимых подготовительных и вспомогательных операций, проведение наблюдений, снятие показаний приборов, ведение рабочих журналов.
6. Обеспечение сотрудников подразделения необходимыми для работы оборудованием, материалами, реактивами и др.
7. Обработка, систематизация и оформление в соответствии с методическими документами результатов испытаний, измерений, ведение их учета.
8. Произведение выборки данных из литературных источников, реферативных и информационных изданий, нормативно-технической документации в соответствии с установленным заданием.
9. Выполнение вычислительных работ, связанных с проводимыми исследованиями и экспериментами.
10. Выполнение отдельных служебных поручений своего непосредственного руководителя.

Образование

2020

Бакалавриат: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), специальность «Нанотехнологии и микросистемная техника», квалификация «Бакалавр»

Публикации9

Конференции

  • 2022
    Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам Saint Petersburg OPEN (Санкт-Петербург). Доклад: Optical studies of InP nanostructures monolithically integrated in Si (100)
  • Научная конференция с международным участием «Наука настоящего и будущего» (Санкт-Петербург). Доклад: Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых ям-точек с временным разрешением методом ап-конверсии
  • Международная конференция ФизикА.СПб (Санкт-Петербург). Доклад: Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых ям-точек с временным разрешением методом ап-конверсии
  • 2021
    научно-практическая конференция с международным участием «Наука настоящего и будущего» (Санкт-Петербург). Доклад: Исследование оптических свойств микродискового лазера со сферической наноантенной Si
  • 23-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург). Доклад: Изучение оптических свойств In(As, P) включений в матрице Si
  • 2020
    XXII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург). Доклад: Генерация лазерного излучения микродисковых резонаторов в растворах NaCl и C6H12O6

Опыт работы

06.2020 – 12.2020: лаборант на кафедре нанофотоники в Санкт-Петербургском академическом университете имени Ж.И.Алеферова, Санкт-Петербург, Россия.

04.2020 - настоящее время: лаборант в Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники в Национальном исследовательском университете «Высшая школа экономики», Санкт-Петербург, Россия.


Информация*

Общий стаж: 5 месяцев
Данные выводятся в соответствии с требованиями приказа N 831 от 14 августа 2020 г. Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки

Физики Питерской Вышки исследуют интегрированные с кремнием наноструктуры. Почему это полезно

Сотрудники Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники Питерской Вышки получили грантовую поддержку Российского научного фонда. Тема будущего исследования — источники излучения в диапазоне 1,3–1,55 мкм на основе III-V наноструктур, интегрированных в кремний.