• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты
Телефон:
+7(495) 772-9590
Электронная почта:
Адрес: Б. Харитоньевский пер., д.4, стр.1, каб. 211
Время присутствия: По расписанию занятий
Резюме (DOC, 23 Кб)
Версия для печати

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!
Сервис предназначен только для отправки сообщений об орфографических и пунктуационных ошибках.

Тюшагин Валерий Николаевич

  • Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
  • Научно-педагогический стаж: 39 лет.

Образование, учёные степени и учёные звания

  • 1988
    Ученое звание: Доцент
  • 1982
    Кандидат технических наук: специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах», тема диссертации: Моделирование процессов рассеяния ускоренных электронов при электронно-лучевом экспонировании трехслойных структур на поверхностных акустических волнах
  • 1973

    Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: радиотехнический, специальность «инженер конструктор-технолог по производству РЭА»

Учебные курсы (2013/2014 уч. год)

Учебные курсы (2012/2013 уч. год)

  • Курсовая работа по дисциплине "Физика конденсированного состояния" (Бакалавриат; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Электронное машиностроение"; 2-й курс, 2 семестр)Рус

  • Курсовая работа по дисциплине "Физика. Физика полупровдников" (Бакалавриат; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Твердотельная электроника и микроэлектроника"; 2-й курс, 2 семестр)Рус

  • Курсовая работа по дисциплине "Физические основы электронно-лучевой технологии" (Специалитет; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Микроэлектроника и элементная база персональных компьютеров"; 5-й курс, 1 семестр)Рус

  • Методы исследования электрофизических параметров полупроводников (Специалитет; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Микроэлектроника и элементная база персональных компьютеров"; 3-й курс, 2 семестр)Рус
  • Планирование и организация эксперимента (Магистратура; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; направление "211000.68 Конструирование и технология электронных средств", направление "210100.68 Электроника и наноэлектроника"; 1-й курс, 3, 4 модуль)Рус

  • Техника физического эксперимента (Магистратура; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; направление "210100.68 Электроника и наноэлектроника", направление "210100.68 Электроника и наноэлектроника"; 2-й курс, 1 семестр)Рус

  • Техника физического эксперимента (Специалитет; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Микроэлектроника и элементная база персональных компьютеров"; 3-й курс, 2 семестр)Рус
  • Физика конденсированного состояния (Бакалавриат; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Электронное машиностроение"; 2-й курс, 2 семестр)Рус
  • Физика. Физика полупроводников (Бакалавриат; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Твердотельная электроника и микроэлектроника"; 2-й курс, 2 семестр)Рус
  • Физические основы взаимодействия излучения с веществом (Бакалавриат; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Твердотельная электроника и микроэлектроника"; 2-й курс, 2 семестр)Рус
  • Физические основы микроэлектроники (Специалитет; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; 3-й курс, 1 семестр)Рус
  • Физические основы микроэлектроники (Бакалавриат; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; 3-й курс, 1 семестр)Рус
  • Физические основы электронно-лучевой технологии (Специалитет; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Микроэлектроника и элементная база персональных компьютеров"; 5-й курс, 1 семестр)Рус