Механизмы отклика углеродных нанотрубок и сверхпроводящего легированного бором алмаза при воздействии терагерцового излученияResponse mechanisms of carbon nanotubes and superconducting boron-doped diamond exposed to terahertz radiation

Диссертационное исследование посвящено экспериментальному изучению механизмов отклика в углеродных нанотрубках и сверхпроводящих легированных бором алмазных пленках на терагерцовое излучение. Для определения наиболее значимых параметров исследуемых объектов был использован метод измерения фотоотклика транзисторных структур при различных температурах и метод измерения времени энергетической релаксации под воздействием амплитудно-модулированного излучения. В результате проведенного исследования получены данные времени энергетической релаксации и его температурной зависимости для нанокристаллических легированных бором алмазных пленок. Определен частотный диапазон детектирования в зависимости от типа проводящего канала в устройствах с углеродными нанотрубками, а также определены доминирующие механизмы детектирования при комнатной температуре и охлаждении до гелиевых температур.