Разработка терагерцовых интегральных устройств с диэлектрическими волноводами на базе Si и GaAsDevelopment of terahertz integrated devices with dielectric waveguides based on Si and GaAs

Соискатель:

Руководитель:

Шураков Александр Сергеевич (др. работы под рук-вом)

Члены комитета:

Кленов Николай Викторович (Московский технический университет связи и информатики,, д.т.н., председатель комитета), Иванов Федор Ильич («Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», д.н. по п.м., член комитета), Худченко Андрей Вячеславович (Астрокосмический центр Физического института имени П. Н. Лебедева Российской академии наук. , к. ф.-м. н., член комитета), Чаусов Денис Николаевич (Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр «Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук», , д. ф.-м. н., член комитета), Чирков Игорь Петрович (Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений»,, к.т.н., член комитета)

Диссертация принята к предварительному рассмотрению:

3/24/2026

Диссертация принята к защите:

5/26/2026

Дисс. совет:

Совет по инженерным наукам и прикладной математике

Дата защиты:

9/2/2026

Диссертационное исследование посвящено исследованию возможности создания элементов фотонных интегральных схем со сверхпроводящими NbN/Si болометрами на горячих электронах и планарными Ti/Pt/Au/n-GaAs диодами Шоттки для спектрального анализа и пространственной модуляции сигналов в терагерцовом диапазоне. В работе впервые продемонстрирована новая конструкция нитрид ниобиевого болометра на горячих электронах с использованием кремниевых волноводных структур для фотонных интегральных схем (ФИС) с предельно малыми потерями на распространение в терагерцовом диапазоне. Впервые показана возможность создания ФИС NbN/Si HEB смесителя, включая линии ввода мощности гетеродина и сигнального излучения, съёма сигнала на промежуточной частоте, с центральной рабочей частотой 2,7 ТГц. Разработаны и изучены технологичные терагерцовые ФИС антенных устройств на основе подложек кремния и арсенида галлия. Предложены оригинальные способы снижения потерь в диодном элементе на основе микроконтакта Шоттки Ti/Pt/Au/n-GaAs для использования в составе ФИС пространственного модулятора сигнала с центральной рабочей частотой 150 ГГц.

Диссертация [*.pdf, 15.98 Мб] (дата размещения 4/7/2026)

Резюме [*.pdf, 4.36 Мб] (дата размещения 4/7/2026)

Summary [*.pdf, 4.34 Мб] (дата размещения 4/7/2026)