Метод создания безразрядных полупроводниковых приборов космической электроники в полимерных корпусахDevelopment of discharge-free semiconductor devices with plastic cases for the spacecraft electronics
Соискатель:
Афанасьева Маргарита Александровна
Руководитель:
Члены комитета:
Пожидаев Евгений Димитриевич (Московский институт электроники и математики им. А.Н.Тихонова ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», д.т.н., председатель комитета), Кечиев Леонид Николаевич (Московский институт электроники и математики им. А.Н.Тихонова ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», д.т.н., член комитета), Кузнецов Вадим Вадимович (X-FAB Silicon Foundries Dresden GmbH&Co, KG, Германия, к.т.н., член комитета), Новиков Лев Симонович (Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына ФГАОУ ВО «Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова», д. ф.-м. н., член комитета), Самбурский Лев Михайлович (Московский институт электроники и математики им. А.Н.Тихонова ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», к.т.н., член комитета)
Диссертация принята к предварительному рассмотрению:
7/3/2020
Диссертация принята к защите:
7/14/2020 (Протокол №12)
Дисс. совет:
Совет по инженерным наукам и прикладной математике
Дата защиты:
10/22/2020
Диссертационное исследование посвящено исследованию закономерности процессов накопления объемного заряда в пластиковых корпусах полупроводниковых приборов бортовой электроники космических аппаратов в результате воздействия на них околоземной плазмы разработке и разработке метода создания безразрядных полупроводниковых приборов космической электроники в полимерных корпусах. Проведены экспериментально-расчетные работы для определения коэффициента усиления поля на ребрах и вершинах кристалла чипа полупроводникового прибора. На основе этих работ реализована инженерная методика для определения величины электрической проводимости пластика корпуса чипа, при которой исключается физическая возможность возникновения электростатических разрядов типа «объем пластика полимерного корпуса – кристалл чипа». На основе выполненных исследований сформулировано и обосновано третье критериальное число, которое определяется максимально возможным электрическим полем на границе раздела «пластик корпуса – чип».
Диссертация [*.pdf, 1.66 Мб] (дата размещения 8/20/2020)
Резюме [*.pdf, 326.02 Кб] (дата размещения 8/20/2020)
Summary [*.pdf, 154.70 Кб] (дата размещения 8/20/2020)
Публикации, в которых излагаются основные результаты диссертации
Experimental Determination of the Electric Field Gain Coefficient on the Top of the Spherical Electrode on Air (смотреть на сайте журнала)
Spacecraft Internal Charging Simulation of the Electronics Device Plastic Cases (смотреть на сайте журнала)
Отзывы
Отзыв научного руководителя
- отзыв научного руководителя (дата размещения 7/9/2020)
Сведения о результатах защиты:
Комитет по диссертации рекомендовал присудить учёную степень кандидата технических наук (протокол № 2 от 22.10.2020г.). Решением диссертационного совета (протокол № 15 от 28 октября 2020г.) присуждена ученая степень кандидата технических наук.
См. на ту же тему
Исследование и разработка сенсора на основе монокристаллического алмаза для измерения радиационных потоков космического излученияКандидатская диссертация
Соискатель: Недосекин Павел Геннадьевич
Руководитель: Каперко Алексей Федорович
Дата защиты: 10/21/2021
Физические свойства многослойных композиционных материалов энергодвигательных установок космической техники и энергетики в условиях воздействия высоких термических и механических нагрузокКандидатская диссертация
Соискатель: Рудштейн Роман Ильич
Руководитель: Бондаренко Геннадий Германович
Дата защиты: 3/23/2016
Метод повышения устойчивости печатных узлов БРЭА космических аппаратов к возникновению ЭСРКандидатская диссертация
Соискатель: Белик Глеб Андреевич
Руководитель: Саенко Владимир Степанович
Дата защиты: 4/10/2014