• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Метод создания безразрядных полупроводниковых приборов космической электроники в полимерных корпусах Development of discharge-free semiconductor devices with plastic cases for the spacecraft electronics Кандидатская диссертация Ученая степень НИУ ВШЭ

Соискатель:Афанасьева Маргарита Александровна
Руководитель:Саенко Владимир Степанович (др. работы под рук-вом)
Члены комитета:Пожидаев Евгений Димитриевич (Московский институт электроники и математики им. А.Н.Тихонова ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», д.т.н., председатель комитета), Кечиев Леонид Николаевич (Московский институт электроники и математики им. А.Н.Тихонова ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», д.т.н., член комитета), Кузнецов Вадим Вадимович (X-FAB Silicon Foundries Dresden GmbH&Co, KG, Германия, к.т.н., член комитета), Новиков Лев Симонович (Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына ФГАОУ ВО «Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова», д. ф.-м. н., член комитета), Самбурский Лев Михайлович (Московский институт электроники и математики им. А.Н.Тихонова ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», к.т.н., член комитета)
Диссертация принята к предварительному рассмотрению:03.07.2020
Диссертация принята к защите:14.07.2020 (Протокол №12)
Дисс. совет:Совет по инженерным наукам и прикладной математике


Диссертационное исследование посвящено исследованию закономерности процессов накопления объемного заряда в пластиковых корпусах полупроводниковых приборов бортовой электроники космических аппаратов в результате воздействия на них околоземной плазмы разработке и разработке метода создания безразрядных полупроводниковых приборов космической электроники в полимерных корпусах. Проведены экспериментально-расчетные работы для определения коэффициента усиления поля на ребрах и вершинах кристалла чипа полупроводникового прибора. На основе этих работ реализована инженерная методика для определения величины электрической проводимости пластика корпуса чипа, при которой исключается физическая возможность возникновения электростатических разрядов типа «объем пластика полимерного корпуса – кристалл чипа». На основе выполненных исследований сформулировано и обосновано третье критериальное число, которое определяется максимально возможным электрическим полем на границе раздела «пластик корпуса – чип».


Публикации, в которых излагаются основные результаты диссертации



Отзывы:
Отзыв научного руководителя
Ключевые слова: внутренняя электризация, космические аппараты, полупроводниковые приборы, электризация космических аппаратов