Исследование оптических свойств микрорезонаторов дисковой геометрии с активной областью на основе InGaN/GaN квантовых ям

Целью данной работы является исследование оптических свойств гетероструктур на основе полупроводниковых III-N материалов на подложках Al2O3 и Si и дисковых микрорезонаторов (МД) с квантовыми ямами InGaN/GaN, разработанных из гетероструктуры на сапфировой подложке. Оптические свойства изучались с помощью спектроскопии фотолюминесценции. Диаметры МД варьировались от 1 мкм до 12 мкм. Спектры фотолюминесценции (ФЛ) МД и гетероструктур на основе полупроводниковых III-N материалов на подложках Al2O3 и Si изучались при комнатной температуре с использованием конфокальной оптической системы Confotec NR500. Для каждой гетероструктуры и каждого диаметра МД были получены спектры ФЛ в широком диапазоне мощностей оптической накачки. Показано, что III-N полупроводниковые гетероструктуры на подложках Al2O3 и Si обладают высоким оптическим качеством. Микродисковые резонаторы поддерживают распространение высокодобротных мод шепчущей галереи. Продемонстрирован переход к вынужденному излучению для III-N гетероструктуры на подложке Si на длине волны ~420 нм при оптической накачке через цилиндрическую линзу в импульсном режиме при комнатной температуре. Полученные результаты подтверждают перспективность исследованных гетероструктур на подложках Al2O3 и Si для создания III-N полупроводниковых микролазеров, поддерживающих моды шепчущей галереи с высокой стабильностью характеристик.