Крыжановская Наталья Владимировна
- Заведующий лабораторией:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук / Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники
- Начала работать в НИУ ВШЭ в 2020 году.
- Научно-педагогический стаж: 14 лет.
Образование, учёные степени
- 2018Доктор физико-математических наук: Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук
- 2002
Специалитет: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), специальность «Инженер»
Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки
повышение квалификации "Организация учебного образовательного пространства обучающихся с использованием инструментов и средств информационно-коммуникационных технологий" (16 ак. часов, Санкт-Петербургский Академический университет РАН)
Публикации6
- Статья Zhukov A E, N. V. KRYZHANOVSKAYA. Direct modulation characteristics of microdisk lasers with InGaAs/GaAs quantum well-dots // Photonics Research. 2019. Vol. 7. No. 6. P. 664-668. doi
- Статья Zhukov A, Natalia Kryzhanovskaya. Dynamics of Broadband Lasing Cascade from a Single Dot-in-well InGaAs Microdisk // Scientific Reports. 2019. Vol. 9. No. 1. P. 5635. doi
- Статья N. V. Kryzhanovskaya, Zhukov A E. Evaluation of energy-to-data ratio of quantum-dot microdisk lasers under direct modulation // Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 126. No. 6. P. 063107-1-063107-6. doi
- Статья Zhukov A, NATALIA KRYZHANOVSKAYA. High speed data transmission using directly modulated microdisk lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots // Optics Letters. 2019. Vol. 44. No. 22. P. 5442-5445. doi
- Статья Zhukov A, N. V. Kryzhanovskaya. Lasing in III–V microdisk core–TiO2 shell lasers // Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. 2019. Vol. 36. No. 8. P. 2285-2291. doi
- Статья Zhukov A, NATALIA KRYZHANOVSKAYA. Highly efficient injection microdisk lasers based on quantum well-dots // Optics Letters. 2018. Vol. 43. No. 19. P. 4554-4557. doi
