Характеризация ультратонких сверхпроводящих пленок NbN, полученных методом реактивного магнетронного распыления, и создание на их основе однофотонных детекторов

Дипломная работа посвящена исследованию методов создания и структурирования сверхтонких сверхпроводящих пленок. Целью исследования является создание технологического маршрута и самого экспериментального сверхпроводникового однофотонного детектора. Данный детектор представляет собой тонкую, толщиной 4 нм, наноразмерную полоску сверхпроводящей пленки NbN шириной 116 нм, сформированную в виде меандра. Меандр расположен между медными контактами на подложке из кремния со слоем оксидированного кремния площадью 3х4 мм2. Для создания данного детектора применялись методы реактивного магнетронного распыления, резистивного испарения, электронно-лучевого испарения, а также оптической и электронно-лучевой литографии. В результате исследования был разработан технологический маршрут по созданию сверхпроводниковых однофотонных детекторов и получена экспериментальная партия образцов. Кроме того, было начато исследование по разработке технологического маршрута для создания экспериментальной схемы «Boson Sampling» с интегрированным SSPD. Дипломная работа содержит 3 главы, 58 страниц, 36 изображения, 3 таблицы, 35 источников.