Гетероструктуры сверхпроводник/ферромагнетик для применения в электронике и коммуникационных технологиях

ФИО студента: Сабанцева Екатерина Александровна

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инфокоммуникационные технологии и системы связи (Бакалавриат)

Оценка: 9

Год защиты: 2018

В данной выпускной квалификационной работе была исследована гетероструктура сверхпроводник/ферромагнетик. Для понимания процессов, протекающих в данной гетероструктуре было иучено Андреевское отражение, плотность состояний в S/F контакте, а также эффекты Джозефсона. Также рассмотрен вариант применения гибридной структуры в устройствах памяти. Произведены рассчеты плотности состояний, вольт-амперные характеристики и расчет зависимости критического тока от толщины ферромагнитного слоя в SIFS-контакте. Характеристики, которые были получены, могут быть полезны для понимания сверхпроводящей электроники для суперкомпьютеров. В частности, это поможет понять протекающие процессы в гибридных структурах, используемых в сверхпроводящих ячейках памяти.

Текст работы (работа добавлена 22 мая 2018 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ