Технология изготовления нанопроводов из сверхпроводникового нитрида ниобия: методы коррекции эффекта близости в электронной литографии

ФИО студента: Ангелюк Диана -

Руководитель: Чулкова Галина Меркурьевна

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Материалы. Приборы. Нанотехнологии (Магистратура)

Год защиты: 2019

Исследовательская работа посвящена изучению возможностей и методов коррекции эффектов близости в процессе создания наноструктур на основе сверхпроводниковой пленки нитрида ниобия (NbN) методами электронной литографии. Подробно описываются процесс электронно-лучевой литографии и ее основная проблема – эффекты близости, а также методы их коррекции. Помимо этого, в работе описывается технология изготовления сверхпроводниковых пленок нитрида ниобия.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ