Калибровка моделей диффузии и имплантации в TCAD

ФИО студента: Федотов Артем Владимирович

Руководитель: Попов Дмитрий Александрович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Материалы. Приборы. Нанотехнологии (Магистратура)

Год защиты: 2021

Целью данной работы является калибровка TCAD-моделей ионной имплантации и диффузии на основе экспериментальных данных профилей распределения примеси. Профили распределения примеси играют важную роль в функционировании современных полупроводниковых приборов и во многом определяют их характеристики. Поэтому крайне важно иметь корректные модели для дальнейшего моделирования электрофизических свойств полупроводниковых компонентов.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ