Лысенко Александр Павлович

Публикации⁴²

• Статья Белова И. М., Белов А. Г., Каневский В. Е., Lysenko A. P. Determining the Concentration of Free Electrons in n-InSb from Far-Infrared Reflectance Spectra with Allowance for Plasmon–Phonon Coupling / Пер. с рус. // Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 15. P. 1942-1946. doi
• Статья Lysenko A. P., E. A. Odintsova, Белов А. Г., Каневский В. Е. Features of Stationary Photoconductivity of High-Ohmic Semiconductors Under Local Illumination / Пер. с рус. // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60. No. 12. P. 2209-2217. doi
• Книга Вологдин Э. Н., Лысенко А. П. Радиационные изменения параметров биполярных транзисторов. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018.
• Книга Вологдин Э. Н., Лысенко А. П. Радиационные изменения параметров полупроводниковых материалов. Учебное пособие по дисциплине: “Физика электронных приборов и средств связи”. М. : НИУ ВШЭ, 2018.
• Статья Lysenko A. P., Белов А. Г., Каневский В. Е., Денисов И. А., Пашкова Н. В. Determining the Free Carrier Density in CdxHg1–xTe Solid Solutions from Far-Infrared Reflection Spectra / Пер. с рус. // Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 13. P. 1732-1736. doi
• Книга Лысенко А. П. Методические указания к самостоятельной работе по курсу «Физика электронных приборов и средств связи». [б.и.], 2017.
• Статья Лысенко А. П., Белов А. Г., Каневский В. Е., Одинцова Е. А. ОСОБЕННОСТИ СТАЦИОНАРНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИ ЛОКАЛЬНОМ ОСВЕЩЕНИИ // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60. № 12. С. 142-149.
• Статья Белова И. М., Белов А. Г., Каневский В. Е., Лысенко А. П. Определение концентрации свободных электронов в n-InSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной области с учётом плазмон-фононного взаимодействия // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2017. Т. 22. № 3. С. 201-210. doi
• Статья Lysenko A. P. CURRENT INSTABILITY IN FOUR-LAYER p–n–p–n-STRUCTURES / Пер. с рус. // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59. No. 8. P. 1213-1218. doi
• Статья Lysenko A. P., Белов А. Г., Голлубятников В. А., Каневский В. Е. Method of Investigation of Galvanomagnetic Properties of CdxHg1 − xTe and CdxHg1 − xTe/Cd1 − yZnyTe / Пер. с рус. // Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 13. P. 1716-1719. doi
• Статья Лысенко А. П., Голубятников В. А., Белов А. Г., Каневский В. Е. Исследование фотоэлектрических свойств образцов высокоомного теллурида кадмия-цинка // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2016. Т. 21. № 1. С. 5-12.
• Статья Лысенко А. П., Белов А. Г., Каневский В. Е., Денисов И. А., Пашкова Н. В. Определение концентрации свободных носителей заряда в твёрдых растворах CdXHg1-XTe по спектрам отражения в далёкой инфракрасной области // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2016. Т. 21. № 3. С. 270-278.
• Статья Лысенко А. П. ТОКОВАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ЧЕТЫРЕХСЛОЙНЫХ Р-N-Р-N-СТРУКТУРАХ // Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59. № 8. С. 79-83.
• Статья Lysenko A. P., Bykov D., Grigoryev F. I., Strogankova N. I. Investigation of the Physical Processes in BISPIN Structures in Pulsation Mode / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2015. Vol. 44. No. 7. P. 463-467. doi
• Статья Golubiatnikov V. A., Grigoryev F. I., Lysenko A. P., Strogankova N. I., Belov A. G., Kanevsky V. E. Method of separate determination of high-ohmic sample resistance and contact resistance / Пер. с рус. // Modern Electronic Materials. 2015. Vol. 1. No. 3. P. 93-96. doi
• Статья Лысенко А. П., Голубятников В. А., Строганкова Н. И., Белов А. Г. Влияние размера области засветки образца высокоомного арсенида галлия на его проводимость // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 2. С. 174-181.
• Статья Голубятников В. А., Лысенко А. П., Белов А. Г., Каневский В. Е. Метод исследования гальваномагнитных свойств CdхHg 1-хTe и CdхHg 1-хTe/Cd1-уZnуTe // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 6. С. 576-581.
• Статья Лысенко А. П., Голубятников В. А., Строганкова Н. И., Григорьев Ф. И., Белов А. Г. Установка для измерения гальваномагнитных параметров полупроводниковых материалов путем поворота образца в поле постоянного магнита // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2015. Т. 81. № 10. С. 44-46.
• Статья Lysenko A. P., Golubiatnikov V. A., Grigoryev F. I., Strogankova N. I., Белов А. Г. Modification of the Van der Pau Method for Measuring Electrophysical Parameters of HighResistance Semiconductors / Пер. с рус. // Instruments and Experimental Techniques. 2014. Vol. 57. No. 5. P. 622-626. doi
• Статья Lysenko A. P., Golubiatnikov V. A., Grigoryev F. I., Strogankova N. I., Шадов М. Б., Белов А. Г. Specific Features of the Photoconductivity of SemiInsulating Cadmium Telluride / Пер. с рус. // Semiconductors. 2014. Vol. 48. No. 13. P. 1700-1703. doi
• Статья Lysenko A. P., Grigoryev F. I., Strogankova N. I., Шадов М. Б., Голлубятников В. А. Use of Contact Illumination for HighResistance Semiconductor Conductivity Measurements / Пер. с рус. // Instruments and Experimental Techniques. 2014. Vol. 57. No. 3. P. 326-329. doi
• Глава книги Лысенко А. П., Быков Д. В., Кеменов В. Н. Анализ эффективности дополнительных средств откачки // В кн.: XXI научно-техническая конференция с участием зарубежных специалистов "Вакуумная наука и техника" / Под общ. ред.: Д. В. Быков. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014. С. 84-86.
• Статья Лысенко А. П., Быков Д. В., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И. Исследование физических процессов в БИСПИН-структурах в режиме пульсаций // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2014. Т. 105. № 1. С. 32-39.
• Статья Григорьев Ф. И., Быков Д. В., Лысенко А. П., Строганкова Н. И. Механизм и кинетика формирования структуры и травления тонких пленок фото- и электронорезистов при облучении ионами средних энергий // Физика и химия обработки материалов. 2014. № 2. С. 5-8.
• Статья Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Белов А. Г. Модификация метода Ван-дер-Пау для измерения электрофизических параметров высокоомных полупроводников // Приборы и техника эксперимента. 2014. № 5. С. 115-119. doi
• Глава книги Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Белов А. Г. Определение электрофизических параметров высокоомных полупроводников при подсветке образца красным излучением регулируемой интенсивности // В кн.: XXIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва, Россия. М. : ОАО "НПО "Орион", 2014. Гл. 64. С. 441-444.
• Статья Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Шадов М. Б., Белов А. Г. Особенности фотопроводимости полуизолирующего теллурида кадмия // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2014. Т. 106. № 2. С. 16-21.
• Статья Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Шадов М. Б., Белов А. Г. Применение подсветки контактов для измерений проводимости высокоомных полупроводников // Приборы и техника эксперимента. 2014. № 3. С. 93-96. doi
• Статья Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Белов А. Г. Снижение переходного сопротивления омических контактов к высокоомным полупроводникам с помощью оптического излучения // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2014. Т. 80. № 1. С. 35-38.
• Книга Лысенко А. П. Физические процессы в биполярном транзисторе. М. : РИО МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014.
• Книга Лысенко А. П. Физические свойства р-п-перехода. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014.
• Глава книги Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Белов А. Г. Фотоэмиссия неравновесных носителей заряда в высокоомный полупроводник при локальном освещении // В кн.: XXI научно-техническая конференция с участием зарубежных специалистов "Вакуумная наука и техника" / Под общ. ред.: Д. В. Быков. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014. С. 195-199.
• Статья Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Шадов М. Б., Белов А. Г. О влиянии подсветки на электрофизические параметры контактов к образцам CdTe // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 4. С. 18-21.
• Статья Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Голубятников В. А., Строганкова Н. И., Шадов М. Б., Белов А. Г. Способ раздельного определения сопротивлений образца высокоомного полупроводника и контактов к образцу // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 4. С. 63-66.
• Глава книги Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Голубятников В. А., Шадов М. Б. Фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник при освещении омических контактов // В кн.: Вакуумная наука и техника: Материалы ХХ юбилейной научно-технической конференции / Под общ. ред.: Д. В. Быков. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 220-222.
• Глава книги Быков Д. В., Лысенко А. П., Васильевский В. В., Петров В., Соколов А., Костин К., Прокофьев Т., Агафонов А. Идентификация промежуточных фаз в монокристалле кварца // В кн.: Вакуумная наука и техника. Материалы ХIХ научно-технической конференции / Под общ. ред.: Д. В. Быков. [б.и.], 2012. С. 6-8.
• 
  Книга Лысенко А. П. Исследование процессов восстановления обратного сопротивления диода с р-п-переходом. М. : Московский государственный институт электроники и математики, 2012.
• Глава книги Быков Д. В., Петров В., Касимцев А., Котенев В., Лысенко А. П. Получение современных нераспыляемых газопоглотителей // В кн.: Вакуумная наука и техника. Материалы XVIII научно-технической конференции / Под общ. ред.: Д. В. Быков. М. : МИЭМ, 2011. С. 101-104.
• 
  Книга Лысенко А. П. Пробой p-n-перехода и способы повышения пробивного напряжения. М. : МИЭМ, 2011.
• Глава книги Быков Д. В., Петров В., Касимцев А., Котенев В., Лысенко А. П. Свойства современных нераспыляемых газопоглотителей // В кн.: Вакуумная наука и техника. Материалы XVIII научно-технической конференции / Под общ. ред.: Д. В. Быков. М. : МИЭМ, 2011. С. 104-106.
• Книга Лысенко А. П. Твердотельная электроника (методические указания к курсовым работам). М. : МИЭМ, 2011.
• 
  Книга Лысенко А. П. Физические процессы в p-n-переходе. М. : МИЭМ, 2009.