Исмаил-Заде Мамед Рашидович
- Преподаватель:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент электронной инженерии
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2013 году.
- Научно-педагогический стаж: 9 лет.
Образование, учёные степени
- 2022Кандидат технических наук: Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
- 2019
Аспирантура: Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», специальность «Электроника, радиотехника и системы связи», квалификация «Исследователь, преподаватель-исследователь»
- 2015
Магистратура: Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», специальность «Электроника и наноэлектроника», квалификация «Магистр»
Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки
Программа повышения квалификации «Английский язык. Углубленное изучение General English, уровень Elementary», НИУ ВШЭ, 2019 г. Сертификат
Программа повышения квалификации «Предпринимательское мышление и поддержка предпринимательских инициатив студентов», НИУ ВШЭ, 2018 г. Удостоверение
Группа высокого профессионального потенциала (кадровый резерв НИУ ВШЭ)
Категория "Новые преподаватели" (2019)
Образование
2015 Магистратура: НИУ ВШЭ, департамент: Электронной инженерии, специальность: Электроника и наноэлектроника
2010 Магистратура: Ташкентский государственный технический университет, факультет: Электроники и автоматики, специальность: Медико-биологические аппараты, системы и комплексы
2008 Бакалавриат: Ташкентский государственный технический университет, факультет: Электроники и автоматики, специальность: Приборостроение
Учебные курсы (2022/2023 уч. год)
- Схемотехника телекоммуникационных устройств (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 4 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Архив учебных курсов
Учебные курсы (2021/2022 уч. год)
- Схемотехника телекоммуникационных устройств (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 4 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Электротехника, электроника и метрология (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)Рус
Учебные курсы (2020/2021 уч. год)
- Схемотехника телекоммуникационных устройств (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Электротехника, электроника и метрология (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Электротехника, электроника и метрология (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
Учебные курсы (2019/2020 уч. год)
- Схемотехника телекоммуникационных устройств (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Электротехника, электроника и метрология (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
Учебные курсы (2018/2019 уч. год)
- Схемотехника телекоммуникационных устройств (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Электротехника, электроника и метрология (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1-4 модуль)Рус
Учебные курсы (2017/2018 уч. год)
- Схемотехника телекоммуникационных устройств (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Электротехника, электроника и метрология (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1-4 модуль)Рус
20223
- Глава книги K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov, M.R. Ismail-Zade. Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells, in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT) / Сост.: И. А. Иванов, O. Stukach.; Ed. by O. Stukach. M. : IEEE, 2022. doi P. 1-4. doi
- Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Sambursky L. M. Compact SPICE Models of Sub-100 nm FDSOI and FinFET Devices in the Wide Temperature Range (-269°C … + 300°C), in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2022. doi P. 1-4. doi
- Статья Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Попов Д. А., Пугачев А. А., Самбурский Л. М., Силкин Д. С., Харитонов И. А. Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1(113). С. 183-194. doi
20214
- Статья Ismail-zade M. R. JFET and MOSFET SPICE Models in a Wide Temperature Range / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2021. Vol. 50. No. 7. P. 486-490. doi
- Статья Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kozhukhov M., Ismail-zade M. R., Kharitonov I. A., Li B. SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C) // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2021. Vol. 40. No. 4. P. 708-722. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Исследование возможностей применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОПТ в диапазоне температуры до 300°С // В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. М. : МАКС Пресс, 2021. doi С. 117-120. doi
- Глава книги Исмаил-Заде М. Р. Оценка эффективности применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОП-транзисторов // В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов Т. 14. Вып. 7s. М. : Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. doi С. 912-913. doi
20208
- Статья Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. Compact Si JFET Model for Cryogenic Temperature // Cryogenics. 2020. Vol. 108. P. 1-6. doi
- Глава книги Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina. Early Study of Transistor and Circuit Parameter Variation for 180 nm High-Temperature SOI CMOS Production Technology, in: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). IEEE, 2020. P. 1-7. doi
- Глава книги Ismail-zade M. R., Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Zhang X., Li B., Luo J., Han Z. SPICE Modeling of Small-Size Bulk, SOI and SOS MOSFETs at Deep-Cryogenic Temperatures, in: 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2020. doi P. 97-103. doi
- Глава книги Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 229-232. doi
- Статья Исмаил-Заде М. Р. SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температур // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2020. Т. 25. № 1. С. 40-47. doi
- Статья Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Силкин Д. С. SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5-2. С. 386-392. doi
- Глава книги K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky, Li B., Wang Y. C. TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures, in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020). / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 4. ИППМ РАН, 2020. P. 2-8. doi
- Статья K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky. The Special Features of Simulation of the Current–Voltage Characteristics of JFETs in the Cryogenic Temperature Range / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2020. Vol. 49. No. 7. P. 501-506. doi
20192
- Глава книги Исмаил-Заде М. Р. SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C) // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г. М. : ООО "Спектр", 2019. С. 284-292.
- Статья Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Особенности моделирования ВАХ JFET-транзисторов в диапазоне криогенных температур // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2019. Т. 24. № 2. С. 174-184. doi
20185
- Глава книги Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., Dvornikov O. V., Lvov B. G., Kharitonov I. A. Automation of Parameter Extraction Procedure for Si JFET SPICE Model in the −200…+110°C Temperature Range, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. P. 1-5. doi
- Глава книги Lev M. Sambursky, Dmitry A. Parfenov, Mamed R. Ismail-zade, Alexander S. Boldov, Borislav S. Dubyaga. Prediction of High-Temperature Operation (up to +300°C) of Reference Voltage Source Built with Temperature-Tolerant Production Technology, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018). IEEE Computer Society, 2018. P. 609-613. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018) / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 3. М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 111-117. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р. Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г. М. : Техносфера, 2018. С. 308-312.
- Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А. Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C // В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 67-68.
20179
- Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozhukhov M., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
- Глава книги Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R. Generalized Test Automation Method for MOSFET’s Including Characteristics Measurements and Model Parameters Extraction for Aero-Space Applications, in: Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). Piscataway : IEEE, 2017. P. 504-511. doi
- Глава книги Mamed R. Ismail-zade, Aleksandr Y. Romanov, Egor Y. Kuzin, Vladimir S. Danykin, Igor A. Chetverikov. Hardware-Software System for Automation of Characteristics Measurement of SOI CMOS VLSI Elements under Extreme High Temperature Conditions (up to 300°C), in: Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference (2017 ElConRus) Part 2. M. : IEEE, 2017. P. 423-428. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Lebedev S. V., Sambursky L. M., Stakhin V. G., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R., Ignatov P. V. High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C, in: 33rd Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). PROCEEDINGS 2017. Denver : IEEE, 2017. P. 229-234. doi
- Глава книги Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кузин Е. Ю., Четвериков И. А., Даныкин В. С. Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 55-56.
- Статья Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю., Исмаил-Заде М. Р. Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C) // Труды НИИСИ РАН. 2017. Т. 7. № 2. С. 41-45.
- Глава книги Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю., Исмаил-Заде М. Р. Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C) // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 66-67.
- Глава книги Исмаил-Заде М. Р. Подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C) // В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, С. А. Аксенов, У. В. Аристова, А. А. Елизаров, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, А. Б. Лось, И. С. Смирнов, Н. С. Титкова. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2017. С. 282-283.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС // В кн.: Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур. XVII научно-практический семинар с международным участием: сборник трудов. Н. Новгород : ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017. С. 76-79.
20163
- Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. Complex for automated measurement and processing of BJTs and MOSFETs characteristics for extremal applications, in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M. : HSE, 2016. P. 1-4. doi
- Глава книги Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов // В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, С. А. Аксенов, У. В. Аристова, Л. Н. Кечиев, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, А. Б. Лось, И. С. Смирнов, Н. С. Титкова. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280-281.
- Глава книги Лебедев С. В., Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Стахин В. Г., Харитонов И. А., Исмаил-Заде М. Р. Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм. // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 237-238.
20152
- Глава книги Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения // В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, В. Н. Азаров, У. В. Аристова, М. В. Карасев, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, Б. Г. Львов, Н. С. Титкова, С. У. Увайсов. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 262-263.
- Статья Исмаил-Заде М. Р., Полесский С. Н., Увайсов С. У. Программный комплекс автоматизированного синтеза набора тестовых воздействий на базе LABVIEW // Качество. Инновации. Образование. 2015. № 10. С. 33-38.
20143
- Глава книги Исмаил-Заде М. Р., Калигин Н. Н., Журков А. П. Анализ состояния проблемы экстренного реагирования при авариях на дорогах // В кн.: Сборник трудов VII Международной научно-практической конференции учащихся и студентов Ч. 1. Протвино : Управление образования и науки г. Протвино, 2014. С. 113-114.
- Статья Исмаил-Заде М. Р., Увайсов С. У., Тихменев А. Н. Архитектура информационной системы диагностического моделирования // Качество. Инновации. Образование. 2014. № 12. С. 81-87.
- Глава книги Исмаил-Заде М. Р., Калигин Н. Н., Журков А. П. Программное обеспечение для системы автоматизированного контроля аппаратуры пеленгаторной позиции // В кн.: Сборник трудов VII Международной научно-практической конференции учащихся и студентов Ч. 1. Протвино : Управление образования и науки г. Протвино, 2014. С. 105-108.
Конференции
- 2020
Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых (Республика Крым, г. Ялта). Доклад: SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры
- 2019
Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых (Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф). Доклад: SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C)
- 2018XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
- XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
- Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
- Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
- 2017
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского (Москва). Доклад: Подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C)
- XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
- 2016
Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Доклад: Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов
- XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
- 2015
Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского (Москва). Доклад: Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения
Опыт работы
2020 г. - н.в. Преподаватель Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ.
2018 - 2020 г.г. Ассистент Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ.
2013 - 2018 г.г. Учебный ассистент МИЭМ НИУ ВШЭ.
Информация*
- Общий стаж: 9 лет
- Научно-педагогический стаж: 9 лет
- Преподавательский стаж: 9 лет
Учителя и ученики растут вместе!
От МИЭМ НИУ ВШЭ на Школу молодых ученых «Микроэлектроника-2021» прибыла делегация «учителей» и «учеников».
Ученые и студенты МИЭМ приняли участие в VI Международном Форуме «Микроэлектроника 2020»
В рамках Форума, который прошел 22-24 сентября в Гурзуфе, состоялись XIII Международная Конференция «Кремний-2020» и XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, где миэмовцы представили свои доклады. Студенческий доклад Дмитрия Звягинцева был признан лучшим в своей секции.
“Не бойтесь слова “аспирантура”!”
Продолжаем серию статей об аспирантской школе по техническим наукам. Сегодня наш герой — Мамед Исмаил-Заде, ещё один выпускник 2019-го года
Контроль электронных компонентов и другие важные исследования – в основе взаимоотношений с компанией «ФОРМ»
29 мая в МИЭМ НИУ ВШЭ прошел семинар «Современные инструменты контроля и исследований электронной компонентой базы», организованный совместно департаментом электронной инженерии МИЭМ и предприятием ООО «ФОРМ», разработчиком и производителем автоматизированных средств измерений электронных компонентов - Тестеров FORMULA.
Актуальные проблемы спецстойкой электроники
С 10 по 11 апреля 2019 в г. в загородном отеле «Чайка» (Нижегородская область, поселок Жёлнино), прошла конференция «Спецстойкая микроэлектроника 2019». Конференция организована Госкорпорацией «Росатом» в Нижнем Новгороде. Цель мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, проектирования, производства и применения отечественной стойкой электронной компонентной базы; содействовать развитию отечественной стойкой микроэлектроники.
Событие года в мире микроэлектронных технологий
С 1 по 7 октября 2018 в г. Алушта, Республика Крым, прошел IV Международный форум «Микроэлектроника 2018». МИЭМ НИУ ВШЭ на форуме представляли ученые департамента электронной инженерии.
Точные измерения – основа качества и безопасности
С 15 по 17 мая 2018 года в Москве на ВДНХ в павильоне №75 прошли 14-ый Московский международный инновационный форум и выставка «Точные измерения – основа качества и безопасности», на которой МИЭМ НИУ ВШЭ представлял свои разработки.
XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем
В сербском городе Нови Сад при поддержке Международного института инженеров электротехники и электроники (IEEE) проходила XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем (15-th IEEE EAST-WEST DESIGN & TEST SYMPOSIUM, EWDTS 2017). На конференции среди прочих сообщений были представлены два доклада сотрудников департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
Международный авиационно-космический салон МАКС-2017
С 18 по 23 июля 2017 года в городе Жуковский Московской области прошел Международный авиационно- космический салон МАКС-2017, который является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов.
«Делай в России!»
В г. Новосибирске в МВК «Новосибирск Экспоцентр» прошел Пятый юбилейный Международный форум технологического развития «Технопром» и выставка «НТИ ЭКСПО», которая традиционно проходит в рамках Форума.
Международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017
С 22 по 25 мая 2017 года в китайской «Кремниевой долине», в городе Чэнду – столице провинции Сычуань состоялась крупная международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017 International Workshop on Reliability of Micro-and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (May 22-24, 2017, Chengdu, China). Конференция собрала свыше 200 участников из США, России, Китая, Германии, Франции, Великобритании, Канады, Бельгии, Австрии.
Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур
С 1 по 2 марта 2017 г. Федеральное государственное унитарное предприятие «Федеральный научно-производственный центр «Научно-исследовательский институт им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) проводил семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких сверхбольших интегральных систем (СБИС) на основе гетероструктур»
Международный форум «Микроэлектроника 2016»
С 26 по 30 сентября 2016 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2016», где с докладами выступили сотрудники Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
XVI ежегодный научно-практический семинар с международным участием «Проблемы создания специализированных СБИС на основе гетероструктур»
Мероприятие, в котором 2-3 марта 2016 г. приняли участие преподаватели департамента, было организовано ФГУП «Федеральный научно-производственный центр НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) в лице Межведомственного центра по разработке и производству электронной компонентной базы.