Экспериментальное исследование и разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния ионизирующей радиации космического пространства

ФИО студента: Болдов Александр Сергеевич

Руководитель: Харитонов Игорь Анатольевич

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инфокоммуникационные технологии и системы связи (Бакалавриат)

Оценка: 9

Год защиты: 2019

В наше время активно развивается космическая отрасль, и, следовательно, растёт потребность в радиационно-стойкой электронной аппаратуре. В создании почти любого электронного девайса участвуют КМОП транзисторы. Чтобы проверить, как работают в космических условиях те или иные транзисторы, необходимо создать их модель. В данной дипломной работе приводится процесс создания моделей для КМОП транзисторов с учетом влияния ионизирующей радиации: от этапа облучения транзисторов и измерения их характеристик до этапа создания параметров в программе IC-CAP. Важно отметить, что созданы модели как для n-канальных транзисторов, так и для p-канальных. Данные модели прогнозируют работу транзисторов при влиянии дозы радиации от 0 до 466крад. Облучение исследуемых транзисторов проводилось поэтапно в шахте реактора Национального Исследовательского Ядерного Университета «МИФИ».

Текст работы (работа добавлена 17 мая 2019 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ