Экспериментальное исследование и моделирование характеристик цифровых КМОП микросхем с учетом воздействия низкоинтенсивного излучения

ФИО студента: Звягинцев Дмитрий Евгеньевич

Руководитель: Харитонов Игорь Анатольевич

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инфокоммуникационные технологии и системы связи (Бакалавриат)

Год защиты: 2020

В данной работе проводилось исследование и моделирование влияния ионизирующего излучения на КМОП схемы. Схемы, реализующие функции И-НЕ и ИЛИ-НЕ, были измерены и промоделированы при следующих значения накопленной дозы : 0, 50, 88, 220, 331, 386, 530 крад. Проведено сравнение смоделированных и экспериментальных характеристик. По результатам сравнения получены значения параметров моделей транзисторов микросхем (пороговых напряжений и поверхностных подвижностей и др.) для каждой дозы. С помощью данных величин были вычислены концентрации дефектов Nit и Not. Полученные модели транзисторов позволили оценить время задержки схем для данных доз и определить, при какой дозе временные параметры схемы выйдут за границы, указанные в технических характеристиках.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ