Моделирование тепловых режимов 3D модульных конструкций "процессор/память в корпусе"

ФИО студента: Паничев Семен Александрович

Руководитель: Петросянц Константин Орестович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инжиниринг в электронике (Магистратура)

Год защиты: 2020

Выпускная квалификационная работа включает 54 страницы, 31 рисунок, 8 таблиц, 29 источников, 0 приложений. Объектом исследования являются 3D модульные конструкции «процессор/память в корпусе». Целью работы является изучение 3D модульные конструкции «процессор/память в корпусе» и исследование их тепловых режимов в зависимости от параметров их слоев. В рамках выполнения ВКР исследованы 3D модульные конструкции, в частности HS-PBGA, MCP-PBGA, HBM, Cross Section TMV PoP, изучены особенности влияния параметров слоев на температурное распределение и максимальную температуру в объеме структуры. Рассмотрены области применения данных структур. Также выработаны параметры слоев, которые дают эффективный отвод тепла от кристаллов.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ