Lev M. Sambursky

2022²

• Chapter Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Sambursky L. M. Compact SPICE Models of Sub-100 nm FDSOI and FinFET Devices in the Wide Temperature Range (-269°C … + 300°C), in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2022. doi P. 1-4. doi
• Article Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Попов Д. А., Пугачев А. А., Самбурский Л. М., Силкин Д. С., Харитонов И. А. Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1(113). С. 183-194. doi

2021²

• Article Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kozhukhov M., Ismail-zade M. R., Kharitonov I. A., Li B. SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C) // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2021. Vol. 40. No. 4. P. 708-722. doi
• Chapter Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Исследование возможностей применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОПТ в диапазоне температуры до 300°С // В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. М. : МАКС Пресс, 2021. doi С. 117-120. doi

2020⁸

• Article Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. Compact Si JFET Model for Cryogenic Temperature // Cryogenics. 2020. Vol. 108. P. 1-6. doi
• Chapter Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina. Early Study of Transistor and Circuit Parameter Variation for 180 nm High-Temperature SOI CMOS Production Technology, in: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). IEEE, 2020. P. 1-7. doi
• Chapter Ismail-zade M. R., Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Zhang X., Li B., Luo J., Han Z. SPICE Modeling of Small-Size Bulk, SOI and SOS MOSFETs at Deep-Cryogenic Temperatures, in: 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2020. doi P. 97-103. doi
• Chapter Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 229-232. doi
• Article Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Силкин Д. С. SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5-2. С. 386-392. doi
• Chapter K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky, Li B., Wang Y. C. TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures, in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020). / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 4. ИППМ РАН, 2020. P. 2-8. doi
• Article K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky. The Special Features of Simulation of the Current–Voltage Characteristics of JFETs in the Cryogenic Temperature Range / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2020. Vol. 49. No. 7. P. 501-506. doi
• Chapter Звягинцев Д. Е., Елисеева А. В., Куликов Н. А., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Измерение и моделирование влияния низкоинтенсивного излучения на цифровые КМОП ИС // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 232-235. doi

2019¹

2018⁵

• Chapter Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., Dvornikov O. V., Lvov B. G., Kharitonov I. A. Automation of Parameter Extraction Procedure for Si JFET SPICE Model in the −200…+110°C Temperature Range, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. P. 1-5. doi
• Chapter Lev M. Sambursky, Dmitry A. Parfenov, Mamed R. Ismail-zade, Alexander S. Boldov, Borislav S. Dubyaga. Prediction of High-Temperature Operation (up to +300°C) of Reference Voltage Source Built with Temperature-Tolerant Production Technology, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018). IEEE Computer Society, 2018. P. 609-613. doi
• Chapter Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018) / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 3. М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 111-117. doi
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р. Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г. М. : Техносфера, 2018. С. 308-312.
• Chapter Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А. Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C // В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 67-68.

2017¹⁰

• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozhukhov M., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
• Article Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Lebedev S. V., Sambursky L. M., Safonov S. O., Stakhin V. G. Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C) // Microelectronics and Reliability. 2017. Vol. 79. P. 416-425. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R. Generalized Test Automation Method for MOSFET’s Including Characteristics Measurements and Model Parameters Extraction for Aero-Space Applications, in: Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). Piscataway : IEEE, 2017. P. 504-511. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Lebedev S. V., Sambursky L. M., Stakhin V. G., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R., Ignatov P. V. High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C, in: 33rd Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). PROCEEDINGS 2017. Denver : IEEE, 2017. P. 229-234. doi
• Article Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Kozhukhov M. Measurements of the Electrical Characteristics of Bipolar and MOS Transistors Under the Effect of Radiation / Пер. с рус. // Measurement Techniques. 2017. Vol. 59. No. 10. P. 1104-1111. doi
• Article Konstantin O. Petrosyants, Lev M. Sambursky, Igor A. Kharitonov, Boris G. Lvov. Radiation-Induced Fault Simulation of SOI/SOS CMOS LSI’s Using Universal Rad-SPICE MOSFET Model // Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA). 2017. Vol. 33. No. 1. P. 37-51. doi
• Chapter Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кузин Е. Ю., Четвериков И. А., Даныкин В. С. Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 55-56.
• Chapter Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 53-54.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС // В кн.: Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур. XVII научно-практический семинар с международным участием: сборник трудов. Н. Новгород : ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017. С. 76-79.
• 
  Book Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения. Учебное пособие / Под общ. ред.: К. О. Петросянц. М. : Солон-Пресс, 2017.

2016⁸

• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. Complex for automated measurement and processing of BJTs and MOSFETs characteristics for extremal applications, in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M. : HSE, 2016. P. 1-4. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Lvov B. G. Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model, in: Proceedings of the IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016). NY : The Institute of Electrical and Electronics Engineering, Inc., 2016. P. 117-122. doi
• Article Petrosyants K., Popov D., L. M. Sambursky, I. A. Kharitonov. TCAD Leakage Current Analysis of a 45 nm MOSFET Structure with a High-k Dielectric / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2016. Vol. 45. No. 7. P. 460-463. doi
• Chapter Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M., Veniamin G. Stakhin, Kharitonov I. A. Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C), in: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). IEEE, 2016. P. 250-254. doi
• Chapter Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов // В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, С. А. Аксенов, У. В. Аристова, Л. Н. Кечиев, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, А. Б. Лось, И. С. Смирнов, Н. С. Титкова. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280-281.
• Article Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Кожухов М. В. Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации // Измерительная техника. 2016. № 10. С. 55-60.
• Chapter Лебедев С. В., Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Стахин В. Г., Харитонов И. А., Исмаил-Заде М. Р. Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм. // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 237-238.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Ихсанов Р. Ш. Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии // В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». ФГУП "НИИП", 2016. С. 97-98.

2015¹⁰

• Article Petrosyants K., I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky, M. V. Kozhukhov. IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors // Advanced Materials Research. 2015. Vol. 1083. P. 185-189. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Mokeev A. S. Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects, in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 23-26. doi
• Chapter Konstantin O. Petrosyants, Kharitonov I. A., Sambursky L. M. SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects, in: EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308. doi
• Article Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 1. С. 38-43.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С) // В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. М. : Техносфера, 2015. С. 239-240.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Мокеев А. С. Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик // В кн.: Тезисы докладов 18 Всероссийской научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015". Научно-технический сборник. Лыткарино МО : [б.и.], 2015. С. 109-110.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C) // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239-243.
• Chapter Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения // В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, В. Н. Азаров, У. В. Аристова, М. В. Карасев, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, Б. Г. Львов, Н. С. Титкова, С. У. Увайсов. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 262-263.
• Article Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС // Информационные технологии. 2015. Т. 21. № 12. С. 916-922.
• Chapter Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Олухов В. Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239-243.

2014⁴

• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Kozhukhov M. Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence, in: Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific-practical conference. Part 3 / Ed. by S. U. Uvaysov. Part 3. M. : HSE, 2014. P. 244-253.
• Article Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2014. № 1 (232). С. 3-18.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. ПОДСИСТЕМА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С УЧЕТОМ ДЕЙСТВИЯ ФАКТОРОВ ТЕМПЕРАТУРЫ И РАДИАЦИИ // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М. : НИУ ВШЭ, 2014. С. 475-478.
• Book Л. М. Самбурский, М. В. Кожухов, Д. А. Попов Проектирование логической схемы на основе БМК «Мелисса»: Методические указания у выполнению домашнего задания по дисциплине «Микросхемотехника». М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014.

2013⁵

• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Cравнительный анализ SPICE-моделей КНИ/КНС МОП-транзисторов для учёта радиационных эффектов // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.) / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 303-309.
• Article Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects // Advanced Materials Research. 2013. Vol. 718–720. P. 750-755. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. The Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects, in: Book of Abstracts of the 3rd International Conference on Advanced Measurement and Test , Xiamen, China, March 13-14, 2013. Xiamen : , 2013. P. 35-36.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Богатырев В. Н., Поварницына З. М., Щекин А., Гоманилова Н. Б. Проектирование радиационно-стойкого прецизионного усилителя на базе КНС КМОП-технологии // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.) / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 296-302.
• Chapter Орехов Е. В., Пугачёв А. А., Самбурский Л. М., Торговников Р. А. Учет эффекта релаксации упругих напряжений в приборно-технологической модели SiGe/SOI ГМОПТ // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции / Отв. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Савченко Е. М., А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов. М. : МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013. С. 253-255.

2012⁵

• Chapter Петросянц К. О., Самбурский Л. М. SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г. / Отв. ред.: А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов; науч. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Е. М. Савченко. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2012. С. 116-121.
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Bogatyrev V., Povarnitcyna Z., Drozdenko E. Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Ятманов А. П., Воеводин А. В. Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / Отв. ред.: В. С. Борискин; под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2012. С. 413-418.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Адонин А. С. Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Ятманов А. П. Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 21-32.

2011³

• Article Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Yatmanov A. SOI/SOS MOSFET Compact Macromodel Taking into Account Radiation Effects // Russian Microelectronics. 2011. Vol. 40. No. 7. P. 457-462.
• Chapter Petrosyants K., Orekhov E. V., Popov D., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Yatmanov A., Voevodin A., Mansurov A. TCAD-SPICE simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 188-190.
• Article Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1 (87). С. 20-28.

2010⁵

• Article Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. BSIMSOI-RAD – макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Зимин А. Е., Ятманов А. П., Устименко С. Н., Воеводин А. В., Суховирский Д. М., Тихонов Е. В., Захаров А. Г., Карачкин С. В. Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Ятманов А. П. Определение емкостных параметров модели BSIMSOI из результатов приборно-технологического моделирования // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 73-78.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Осипенко П. Н., Горбунов М. С. Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.
• Article Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81-83.

2009²

• 
  Book Доморацкий Е. П., Самбурский Л. М. Моделирование фунциональных узлов ЭВМ с помощью программы Electronics Workbench. Методические указания к лабораторным, семинарским и курсовым работам по курсу “Организация ЭВМ и систем”. М. : Московский государственный институт электроники и математики, 2009.
• Book Доморацкий Е. П., Самбурский Л. М. “Моделирование фунциональных узлов ЭВМ с помощью программы Electronics Workbench”. Методические указания к лабораторным, семинарским и курсовым работам по курсу “Организация ЭВМ и ситем” / Под общ. ред.: С. П. Клышинская, О. Г. Завьялова. М. : Московский государственный институт электроники и математики, 2009.

2005¹

Book Доморацкий Е. П., Самбурский Л. М. Исследование компьютерной модели арифметико-логического устройства ЭВМ. Методические указания к лабораторной работе по курсу “Организация ЭВМ и систем”. М. : Московский государственный институт электроники и математики, 2005.