Махов Иван Сергеевич
- Старший преподаватель:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук / Департамент физики
- Научный сотрудник:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук / Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2022 году.
- Научно-педагогический стаж: 2 года.
Полномочия / обязанности
Выполнение экспериментальных исследований, проведение пуско-наладочных работ, обработка измерений
Образование, учёные степени
- 2021Кандидат физико-математических наук: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
- 2019
Аспирантура: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, специальность «Физика и астрономия», квалификация «Исследователь. Преподаватель-исследователь»
- 2015
Магистратура: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, специальность «Электроника и наноэлектроника», квалификация «Магистр»
- 2013
Бакалавриат: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, специальность «Электроника и микроэлектроника», квалификация «Бакалавр»
Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки
Programming for Everybody (Getting started with Python)
Достижения и поощрения
- Благодарность НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург (декабрь 2023)
Надбавка за публикацию в журнале из Списка А (и приравненном к нему научном издании) (2023-2024)
Учебные курсы (2023/2024 уч. год)
- Квантовая оптоэлектроника (Бакалавриат; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 4-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Механика (Бакалавриат; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 1-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Электричество и магнетизм (Бакалавриат; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 1-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Архив учебных курсов
Учебные курсы (2022/2023 уч. год)
- Оптика (Бакалавриат; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Термодинамика и молекулярная физика (Бакалавриат; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
Учебные курсы (2021/2022 уч. год)
- Механика (Бакалавриат; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 1-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Электричество и магнетизм (Бакалавриат; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 1-й курс, 3, 4 модуль)Рус
Публикации40
- Статья Zhukov A., Nadtochiy A., Alexey Karaborchev, Fominykh N., Makhov I., Ivanov K., Guseva Y., Kulagina M., Sergey Blokhin, Kryzhanovskaya N. Fast switching between the ground- and excited-state lasing in a quantum-dot microdisk triggered by sub-ps pulses // Optics Letters. 2024. Vol. 49. No. 2. P. 330-333. doi
- Статья Adamov R. B., Melentev G. A., Sedova I. V., Sorokin S. V., Klimko G. V., Makhov I., Firsov D. A., Shalygin V. A. Terahertz photoluminescence in doped nanostructures with spatial separation of donors and acceptors // Journal of Luminescence. 2024. Vol. 266. Article 120302. doi
- Статья Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С., Караборчев А. А., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Махов И. С., Жуков А. Е. Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии // Письма в Журнал технической физики. 2024. Т. 50. № 5. С. 3-6. doi
- Статья N. V. Kryzhanovskaya, K. A. Ivanov, N. A. Fominykh, S. D. Komarov, I. S. Makhov, E. I. Moiseev, Guseva J., Kulagina M., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Lihachev A., Khabibullin R., Galiev R., Pavlov A., Tomosh K., M. V. Maximov, A. E. Zhukov. III–V microdisk lasers coupled to planar waveguides // Journal of Applied Physics. 2023. Vol. 134. No. 10. Article 103101. doi
- Статья A. A. Karaborchev, I. S. Makhov, M. V. Maximov, N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Zhukov. Multi-state lasing in microdisk lasers with InAs/GaAs quantum dots // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.3. P. 157-162. doi
- Статья Zhukov A., Moiseev E., Nadtochiy A., Fominykh N., Ivanov K., Makhov I., Maximov M., Zubov F., Kryzhanovskaya N. Optical Loss in Microdisk Lasers with Dense Quantum Dot Arrays // IEEE Journal of Quantum Electronics. 2023. Vol. 59. No. 1. Article 2000108. doi
- Статья S. D. Komarov, Gridchin V. O., Lendyashova V. V., Kotlyar K. P., Reznik R. R., Dvoretckaia L. V., A. S. Dragunova, I. S. Makhov1, A. M. Nadtochiy, N. V. Kryzhanovskaya, Cirlin G. E., A. E. Zhukov. Optical properties of single InGaN nanowires with core-shell structure // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.2. P. 114-120. doi
- Статья Chernenko N. E., Makhov I., Balakirev S. V., Kirichenko D. V., Shandyba N. A., Kryzhanovskaya N., Solodovnik M. S. Study of InAs/GaAs quantum dots formation in subcritical growth modes on patterned substrates // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 3.1. P. 64-68. doi
- Статья Makhov I., Ivanov K., Moiseev E., Fominykh N., Dragunova A., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Temperature evolution of two-state lasing in microdisk lasers with InAs/InGaAs quantum dots // Nanomaterials. 2023. Vol. 13. No. 5. Article 877. doi
- Статья I.A. Melnichenko, A.M. Nadtochiy, K.A. Ivanov, I.S. Makhov, Maximov M., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., N.V. Kryzhanovskaya, Zhukov A. Time-resolved photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum well-dots with upconversion method // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.1. P. 22-27. doi
- Статья Makhov I., Ivanov K., Moiseev E., Dragunova A., Fominykh N., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Two-state lasing in a quantum dot racetrack microlaser // Optics Letters. 2023. Vol. 48. No. 13. P. 3515-3518. doi
- Статья Makhov I., Ivanov K., Moiseev E., Dragunova A., Fominykh N., Shernyakov Y., Mikhail Maximov, Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Two-state lasing in microdisk laser diodes with quantum dot active region // Photonics. 2023. Vol. 10. No. 3. Article 235. doi
- Статья Мельниченко И. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А., Надточий А. М., Махов И. С., Козодаев М. Г., Хакимов Р. Р., Маркеев А. М., Воробьев А. А., Можаров А. М., Гусева Ю. А., Лихачев А. И., Колодезный Е. С., Жуков А. Е. Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства // Оптика и спектроскопия. 2023. Т. 131. № 8. С. 1112-1117. doi
- Статья Крыжановская Н. В., Блохин С. А., Махов И. С., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Фоминых Н. А., Зубов Ф. И., Максимов М. В., Жуков А. Е. Исследование p-i-n-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек // Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 3. С. 202-206. doi
- Статья Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А., Комаров С. Д., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Гусева Ю. А., Кулагина М. М., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Хабибуллин Р. А., Галиев Р. Р., Павлов А. Ю., Томош К. Н., Махов И. С., Максимов М. В., Жуков А. Е. Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом // Оптика и спектроскопия. 2023. Т. 131. № 11. С. 1483-1485. doi
- Статья Адамов Р. Б., Мелентьев Г. А., Подоскин А. А., Кондратов М. И., Гришин А. Е., Слипченко С. О., Седова И. В., Сорокин С. В., Климко Г. В., Махов И. С., Фирсов Д. А., Шалыгин В. А. Люминесценция в p-i-n-структурах с компенсированными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 8. С. 663-673. doi
- Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Махов И. С., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Фоминых Н. А., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Зубов Ф. И., Максимов М. В. Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками // Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 3. С. 215-220. doi
- Глава книги Vinnichenko M., Makhov I., Panevin V., Ustimenko R., Melentev G., Sorokin S., Sedova I. Acceptor-Assisted Intraband Photoconductivity in GaAs/AlGaAs Quantum Wells, in: Proceedings of the 9th International Symposium OPTICS-2022. Springer, 2022. doi Ch. 7. P. 79-90. doi
- Статья Makhov I., Budkin G. V., Graf S. V., Firsov D. A. Current induced drag of photons in GaAs/AlGaAs quantum wells // Micro and Nanostructures. 2022. Vol. 167. Article 207288. doi
- Статья Vinnichenko M. Y., Makhov I., Ustimenko R. V., Sargsian T. A., Sarkisyan H. A., Hayrapetyan D. B., Firsov D. A. Doping effect on the light absorption and photoluminescence of Ge/Si quantum dots in the infrared spectral range // Micro and Nanostructures. 2022. Vol. 169. Article 207339. doi
- Статья Zhukov A., Moiseev E., Nadtochiy A., Makhov I., Ivanov K., Dragunova A., Fominykh N., Shernyakov Y., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Mikushev S., Zubov F., Maximov M., Kryzhanovskaya N. Dynamic characteristics and noise modelling of directly modulated quantum well-dots microdisk lasers on silicon // Laser Physics Letters. 2022. Vol. 19. No. 2. Article 025801. doi
- Статья F I Zubov, E I Moiseev, A M Nadtochiy, N A Fominykh, K A Ivanov, I S Makhov, A S Dragunova, M V Maximov, N A Kryzhanovskaya, A E Zhukov. Improvement of thermal resistance in InGaAs/GaAs/AlGaAs microdisk lasers bonded onto silicon // Semiconductor Science and Technology. 2022. Vol. 37. No. 7. Article 075010. doi
- Глава книги Vinnichenko M. Y., Makhov I., Ustimenko R. V., Sarkisyan H. A., Firsov D. A. Infrared photoluminescence and absorption of Ge/Si quantum dots with different doping levels, in: 2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz). IEEE, 2022. doi P. 1-2. doi
- Глава книги A. E. Zhukov, E. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, N. A. Fominykh, K. A. Ivanov, I. S. Makhov, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, M. V. Maximov, Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Optical loss and noise modelling in microdisk lasers with InGaAs quantum well-dots, in: 2022 International Conference Laser Optics (ICLO). IEEE, 2022. doi doi
- Статья Melnichenko I., Kryzhanovskaya N., Berdnikov Y., Moiseev E., Makhov I. Optical studies of InP nanostructures monolithically integrated in Si (100) // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 260-264. doi
- Глава книги Firsov D., Makhov I., Panevin V., Sarkisyan H., Vorobjev L. Optically Pumped Terahertz Radiation Sources Based on Impurity Carrier Transitions in Quantum Wells, in: Proceedings of the 9th International Symposium OPTICS-2022. Springer, 2022. doi Ch. 2. P. 21-38. doi
- Глава книги Kryzhanovskaya N., Dragunova A., Fominykh N., M.V. Maximov, Moiseev E., F.I. Zubov, Ivanov K., Makhov I., Mozharov A. M., Kaluzhnyy N., Mintairov S., Guseva Y. A., Gordeev N., Zhukov A. Performance of InGaAs/GaAs Microdisk Lasers with Improved Thermal Resistance, in: 2022 International Conference Laser Optics (ICLO). IEEE, 2022. doi P. 1-1. doi
- Статья Vinnichenko M. Y., Makhov I., Kharin N. Y., Graf S. V., Panevin V. Y., Sedova I. V., Sorokin S. V., Firsov D. A. Photoconductivity and infrared-light absorption in p-GaAs/AlGaAs quantum wells // Semiconductors. 2022. Vol. 55. No. 9. P. 710-716. doi
- Статья Melnichenko I., Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Makhov I., Nadtochiy A., Zhukov A. Submicron-Size Emitters of the 1.2–1.55 um Spectral Range Based on InP/InAsP/InP Nanostructures Integrated into Si Substrate // Nanomaterials. 2022. Vol. 12. No. 23. Article 4213. doi
- Статья N. A. Fominykh, E. I. Moiseev, I. S. Makhov, Min’kov K. N., A. M. Nadtochiy, Guseva Y. A., Kulagina M. M., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Zhukov. The investigation of optical coupling of microlasers with tapered fiber // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 167-170. doi
- Статья Махов И. С., Бекман А. А., Кулагина М. М., Гусева Ю. А., Крыжановская Н. В., Надточий А. М., Максимов М. В., Жуков А. Е. Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs // Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 12. С. 40-43. doi
- Статья Адамов Р., Петрук А., Мелентьев Г., Седова И., Сорокин С., Махов И. С., Фирсов Д., Шалыгин В. Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки. 2022. Т. 15. № 4. С. 32-43. doi
- Глава книги Ivan S. Makhov, Panevin V. Y., Vorobjev L. E., Firsov D. A. Effect of compensation and near-infrared lasing on donor-related terahertz photoluminescence in GaAs/AlGaAs quantum wells, in: 2021 46th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz). IEEE, 2021. doi P. 1-2. doi
- Глава книги Isaev N. K., E. I. Moiseev, N. A. Fominykh, N. V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, K. A. Ivanov, I. S. Makhov, M. V. Maximov, A. E. Zhukov. Temperature stability of small-signal modulation response of WGM microlasers with InGaAs/GaAs quantum well-dots in the active region, in: 8th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2021" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPbOPEN 2021. Institute of Physics Publishing (IOP), 2021. Ch. 012082. doi
- Статья Budkin G. V., Makhov I. S., Firsov D. A. The drag of photons by electric current in quantum wells // Journal of Physics: Condensed Matter. 2021. Vol. 33. No. 16. Article 165301. doi
- Статья Vinnichenko M. Y., Makhov I. S., Panevin V. Y., Vorobjev L. E., Sorokin S. V., Sedova I. V., Firsov D. A. Acceptor-related infrared optical absorption in GaAs/AlGaAs quantum wells // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 2020. Vol. 124. Article 114301. doi
- Глава книги Vinnichenko M. Y., Makhov I. S., Panevin V. Y., Kharin N. Y., Vorobjev L. E., Sorokin S. V., Sedova I. V., Firsov D. A. Acceptor-related terahertz and infrared photoconductivity in p-type GaAs/AlGaAs quantum wells, in: 21st Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics, RYCPS 2019 Vol. 1482. Bristol : IOP Publishing, 2020. doi doi
- Глава книги Kurnosova A. D., Makhov I., Firsov D. A. Terahertz luminescence and photoconductivity associated with the impurity electron transitions in GaAs/AlGaAs quantum wells, in: 21st Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics, RYCPS 2019 Vol. 1482. Bristol : IOP Publishing, 2020. doi Ch. 012019. P. 1-6. doi
- Статья Makhov I. S., Panevin V. Y., Firsov D. A., Vorobjev L. E., Klimko G. V. Impurity-assisted terahertz photoluminescence in compensated quantum wells // Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 126. No. 17. Article 175702. doi
- Статья Makhov I. S., Panevin V. Y., Firsov D. A., Vorobjev L. E., Vasil'ev A. P., Maleev N. A. Terahertz photoluminescence of the donor doped GaAs/AlGaAs quantum wells controlled by the near-infrared stimulated emission // Journal of Luminescence. 2019. Vol. 210. P. 352-357. doi
Опыт работы
2014-2016 - лаборант в Санкт-Петербургском политехническом университете Петра Великого
2017-2019 - младший научный сотрудник в Санкт-Петербургском политехническом университете Петра Великого
2017-2019 - инженер-исследователь в Санкт-Петербургском политехническом университете Петра Великого
2016 - 2021 - инженер 2 категории в Санкт-Петербургском политехническом университете Петра Великого
09.2021 - по н.в. научный сотрудник в Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники, НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург
Информация*
- Общий стаж: 12 лет
- Научно-педагогический стаж: 2 года
- Преподавательский стаж: 2 года
«Я всегда хотел участвовать в экспериментах, быть ближе к приборам»
Физик Иван Махов на первых курсах института переживал, что его отчислят, а сейчас возглавляет исследование, поддержанное грантом Российского научного фонда. О работе с криостатом замкнутого цикла, разговоре с Эйнштейном и любимом месте в родном Санкт-Петербурге он рассказал в интервью проекту «Молодые ученые Вышки».
«Я всегда хотел участвовать в экспериментах, быть ближе к приборам»
Физик Иван Махов на первых курсах института переживал, что его отчислят, а сейчас возглавляет исследование, поддержанное грантом Российского научного фонда. О работе с криостатом замкнутого цикла, разговоре с Эйнштейном и любимом месте в родном Санкт-Петербурге он рассказал в интервью проекту «Молодые ученые Вышки».
Лариса Цветкова: «В исследовательском университете наука всегда на первом месте»
За этот год ученым из Питерской Вышки удалось привлечь больше внешнего финансирования по грантам Российского научного фонда. Запускались новые лаборатории и проекты, развивались исследования в партнерстве с другими вузами, статьи попадали в международные журналы. Чем живет наука в Питерской Вышке и почему для университетского образования важна включенность в исследовательский процесс — рассказывает Лариса Цветкова, заместитель директора по научной деятельности НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург.
Микролазеры с квантовыми точками оказались способны работать даже при высоких температурах
Физики из НИУ ВШЭ приблизили фотонную революцию в электронике
Что происходит внутри гейзерной кофеварки и как готовится хлеб? Объясняют студенты-физики
На бакалаврской программе «Физика» есть предмет, где студенты регулярно читают интересные статьи, а потом подробно объясняют их суть своим однокурсникам. Иногда ребята свежим физическим взглядом смотрят на вещи, к которым давно привыкли, — на кофеварку и хлеб. Второкурсники Николай Деркач и Вероника Войтович объяснили, что происходит под крышкой хлебопечки и как приготовить кофе в гейзерной кофеварке с опорой на термодинамику.
Физики Питерской Вышки изучили многоуровневую генерацию в микролазерах на квантовых точках
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники обнаружила многоуровневую генерацию в микролазерах размером около 10 микрометров. Исследование проходит при поддержке гранта Российского научного фонда. Руководит проектом Иван Махов, научный сотрудник лаборатории.
«Наша задача — быть максимально открытыми для абитуриентов»: как прошел День физика в Питерской Вышке
В воскресенье 27 ноября в Питерской Вышке состоялся День физика. Гости кампуса могли послушать лекцию Алексея Евгеньевича Жукова о лазерах и полупроводниковых материалах, прогуляться по учебным лабораториям для физиков и попробовать себя в экспериментах. Рассказываем, как прошло мероприятие.
Научные итоги Saint Petersburg OPEN 2022
Доклады участников майской Школы-конференции по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам Saint Petersburg OPEN 2022, организованной Питерской Вышкой, прошли рецензирование. Из более чем двухсот поданных на публикацию работ рецензентами отобраны 150. Осенью они будут опубликованы в двух тематических выпусках издаваемого в Петербурге научного журнала.
Пять проектов НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург поддержаны Российским научным фондом
РНФ подвел итоги конкурсов 2022 года на получение грантов по конкурсам «Проведение инициативных исследований молодыми учеными» и «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых», а также конкурса продления проектов молодежных групп 2019 года Президентской программы исследовательских проектов. Всего поддержку получили пять проектов Питерской Вышки: по итогам первого конкурса поддержано два проекта длительностью два года, по итогам второго — два проекта на три года и по итогам третьего — один проект на три года.
13 проектов НИУ ВШЭ поддержано Российским научным фондом
РНФ подвел итоги конкурсов 2022 года на получение грантов по конкурсам «Проведение инициативных исследований молодыми учеными» и «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых», а также конкурса продления проектов молодежных групп 2019 года Президентской программы исследовательских проектов. По итогам первого конкурса поддержано четыре проекта НИУ ВШЭ на два года, по итогам второго — шесть проектов на три года, по итогам третьего — три заявки на три года.
Учёные-физики выиграли стипендию Президента РФ и грант комитета по науке и высшей школе
Объявлены победители стипендиального конкурса Президента РФ и получатели субсидий от Комитета по науке и высшей школе Санкт-Петербурга. В их число вошли исследователи из Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники.